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龙图腾网获悉惠州比亚迪电池有限公司申请的专利碳化硅晶片缺陷密度统计方法及统计装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116413270B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111648036.7，技术领域涉及：G01N21/88；该发明授权碳化硅晶片缺陷密度统计方法及统计装置是由周维;崔孟华设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅晶片缺陷密度统计方法及统计装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种碳化硅晶片缺陷密度统计方法及统计装置，所述统计方法包括：获取腐蚀处理后的碳化硅晶片的晶片图像；将晶片图像划分为多个单元格；识别每一单元格的缺陷密度，包括：确定该单元格内每一腐蚀坑的腐蚀坑面积和腐蚀坑离心率；根据腐蚀坑面积和腐蚀坑离心率确定缺陷种类，以及计算每一缺陷种类的数量，其中，缺陷种类包括：螺旋螺型位错缺陷、螺旋刃位错缺陷和基矢面位错缺陷；根据每一缺陷种类的数量与该单元格的面积的比值确定每一缺陷种类在该单元格的缺陷密度；根据每一缺陷种类在对应单元格的缺陷密度确定碳化硅晶片的缺陷密度分布。通过本发明提供的方法，能够对缺陷识别更加精细，提高缺陷识别的精确度和识别效率。

本发明授权碳化硅晶片缺陷密度统计方法及统计装置在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶片缺陷密度统计方法，其特征在于，所述碳化硅晶片缺陷密度统计方法包括： 获取腐蚀处理后的碳化硅晶片的晶片图像； 将所述晶片图像划分为多个单元格； 识别每一单元格的缺陷密度，包括： 确定该单元格内每一腐蚀坑的腐蚀坑面积和腐蚀坑离心率； 根据所述腐蚀坑面积和所述腐蚀坑离心率确定缺陷种类，以及计算每一缺陷种类的数量，其中，所述缺陷种类包括：螺旋螺型位错缺陷、螺旋刃位错缺陷和基矢面位错缺陷；识别腐蚀坑面积大于第一面积范围的最大值的腐蚀坑为叠加腐蚀坑，以及识别腐蚀坑面积介于第二面积范围且腐蚀坑离心率小于设定离心率的腐蚀坑为独立腐蚀坑，识别所述叠加腐蚀坑和所述独立腐蚀坑的缺陷种类为螺旋刃位错缺陷；其中，设定离心率为0.5；计算所述叠加腐蚀坑内的螺旋刃位错缺陷的第一数量，以及计算所述独立腐蚀坑的第二数量，其中所述第二面积范围的最大值小于等于所述第一面积范围的最小值；通过以下方式计算第一数量：；其中，m为叠加腐蚀坑内的螺旋刃位错缺陷的第一数量，q为叠加腐蚀坑的数量，S1和S2为第二面积范围的边界值，p为常数，Si为叠加腐蚀坑的面积；将所述第一数量与第二数量之和作为该单元格的螺旋刃位错缺陷的数量； 根据每一缺陷种类的数量与该单元格的面积的比值确定每一缺陷种类在该单元格的缺陷密度； 根据每一缺陷种类在对应单元格的缺陷密度确定所述碳化硅晶片的缺陷密度分布。

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