上海大学王廷云获国家专利权
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龙图腾网获悉上海大学申请的专利在O+E波段具有宽带宽和高增益的光纤及其调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116500720B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310290976.6，技术领域涉及：G02B6/02；该发明授权在O+E波段具有宽带宽和高增益的光纤及其调控方法是由王廷云;文建湘;陈艳;王伟琪;董艳华设计研发完成，并于2023-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本在O+E波段具有宽带宽和高增益的光纤及其调控方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种在O+E波段具有宽带宽和高增益的光纤及其调控方法，包括纤芯和包层0，纤芯由外向内包括第一疏松层1、第一芯层2、第二疏松层3、第二芯层4和内纤芯5，第一疏松层1、第二疏松层3由掺杂高折射率GeO2和P2O5的石英材料构成，第一芯层2和第二芯层4中按照顺序掺杂Al2O3、氧化铋和PbO；通过调控Al2O3、氧化铋和PbO的掺杂摩尔比调控光纤的增益性能。本共掺石英光纤在1260～1460nm波段内光纤增益均大于15dB，尤其在1420nm处增益可达到20dB以上。光纤结构简单，掺杂浓度均匀可控，可广泛应用于有源光纤放大器、高阶涡旋光放大器、光纤激光器、光纤传感器等领域。
本发明授权在O+E波段具有宽带宽和高增益的光纤及其调控方法在权利要求书中公布了：1.一种在O+E波段具有宽带宽和高增益的光纤，包括纤芯和包层0，其特征在于：纤芯由外向内包括第一疏松层1、第一芯层2、第二疏松层3、第二芯层4和内纤芯5，第一疏松层1、第二疏松层3由掺杂高折射率GeO2和P2O5的石英材料构成，利用ALD技术在第一芯层2和第二芯层4中依次沉积Al2O3、氧化铋和PbO，第一芯层2和第二芯层4中Al2O3与氧化铋的摩尔比为0.5~20、氧化铋与PbO的摩尔比为0.2~30。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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