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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利一种LIF神经元电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116523010B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310521068.3，技术领域涉及：G06N3/063；该发明授权一种LIF神经元电路是由宋宏甲;王怀宇;钟向丽;王金斌;郭红霞;欧阳晓平设计研发完成，并于2023-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LIF神经元电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种LIF神经元电路，能够基于延迟实现连接多突触。本发明包括膜电位积累电路、波形整形电路，泄漏电路、脉冲产生电路、不应期电路、延迟电路。本发明的忆阻LIF神经元优势在于电路结构简单，并能对神经元激发尖峰脉冲宽度、峰值强弱、不应期时长调控和可延迟连接多神经突触。这不仅更能贴合生物神经元的功能结构，在实际运用中也能为多个神经突触传递更丰富的时空信息，增强神经网络的适应能力。并且本发明多突触延迟的忆阻LIF神经元电路所用器件较少，有利于提高类脑芯片的集成密度。

本发明授权一种LIF神经元电路在权利要求书中公布了：1.一种LIF神经元电路，其特征在于，包括电流输入端和至少两个电压输出端，以及膜电位积累单元、波形整形单元、泄漏单元、脉冲产生单元、不应期单元和数量与电压输出端相等的延迟单元；其中各个电压输出端均产生尖峰脉冲输出但产生的延时均不相同； 电流输入端连接膜电位积累单元的输入端，并通过膜电位积累单元来对输入电流进行积分； 膜电位积累单元的输出端通过泄漏单元连接波形整形单元的输入端，以通过泄漏单元向波形整形单元输出达到预设阈值的电压； 波形整形单元的输出端分别连接至脉冲产生单元和各个延迟单元，以输出由膜电位积累单元产生的模拟信号转换并整形后得到的数字信号； 脉冲产生单元基于接收的数字信号产生尖峰脉冲输出，脉冲产生单元的输出端作为电压输出端中的一个，且同时还连接到不应期单元以控制不应期单元； 不应期单元的输出端连接到膜电位积累单元的输入端，以对膜电位积累单元的输入进行通断控制； 各个延迟单元基于接收的数字信号产生延时不同的尖峰脉冲输出，且各个延迟单元输出端均作为电压输出端； 所述的延迟单元包括依次连接的第一反相器、D触发器、第二反相器、延迟单元忆阻器和延迟单元电阻； 所述的第一反相器的输入端连接至波形整形单元的输出端，并在接收到预定阈值的电压后马上由输出正电压转为输出0电压，从而向D触发器输出在正电压和0之间转换的方波信号； 所述的D触发器的输出端连接至第二反相器，且D触发器的CLK端控制延迟时间，在延迟时间达到后来向第二反相器输出0电压； 所述的第二反相器在接收到0电压后马上由输出负电压转换为输出正电压，从而输出在负电压和正电压之间转换的方波信号至延迟单元忆阻器的输入端； 延迟单元忆阻器的输出端作为电压输出端； 延迟单元电阻的一端连接至脉冲单元忆阻器的输出端，另一端连接至正电压； 所述的第一反相器包括NMOS管和PMOS管；所述的NMOS管和PMOS管的栅极互相连接，并连接至波形整形单元的输出端；NMOS管的漏极和PMOS管的漏极相连并连接至D触发器的输入端；NMOS管的源极接地，PMOS管的源极接正电压； 所述的第二反相器包括NMOS管和PMOS管；所述的NMOS管和PMOS管的栅极互相连接，并连接至D触发器的输出端；NMOS管的漏极和PMOS管的漏极相连并连接至延迟单元忆阻器的输入端；NMOS管的源极接负电压，PMOS管的源极接正电压。

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