苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利一种肖特基二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116529892B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080107495.1，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种肖特基二极管是由程凯设计研发完成，并于2020-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种肖特基二极管在说明书摘要公布了：一种肖特基二极管。肖特基二极管包括依次层叠的衬底100、第一半导体层200、异质结构层300、钝化层500、冒层400。其中钝化层500包括第一凹槽10和第二凹槽20，第一凹槽10和第二凹槽20至少贯穿钝化层500。以及第一电极700，第一电极700至少位于对应第一凹槽10的冒层400上；位于第二凹槽20处的第二电极800。第一电极700于冒层400之间形成肖特基接触，避免了第一电极700与异质结构层300直接接触的面积，能够平衡正向开启电压与反向漏电特性方面的矛盾，并且抑制异质结构层300在高温环境下的漏电特性。
本发明授权一种肖特基二极管在权利要求书中公布了：1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括： 第一半导体层； 异质结构层，所述异质结构层位于所述第一半导体层上； 冒层，所述冒层位于所述异质结构层上，所述冒层至少包括第一区域和第二区域； 钝化层，所述钝化层位于所述冒层上，所述钝化层包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽至少贯穿所述钝化层，所述第一凹槽对应于所述第一区域； 第一电极，所述第一电极对应于所述第一凹槽处形成，所述第一电极与所述第一区域接触和或所述第一电极与所述异质结构层接触； 第二电极，所述第二电极位于所述第二凹槽处； 第二半导体层，所述第二半导体层位于所述第一凹槽处且同时位于所述第一区域上和第一电极下，所述第二半导体层靠近所述第二电极一侧的侧壁与所述第一电极靠近所述第二电极一侧的侧壁不齐平，以暴露部分所述第二半导体层。
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