上海电力大学李豪获国家专利权
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龙图腾网获悉上海电力大学申请的专利一种SiC MOSFET在线状态监测方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116559620B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310790069.8，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种SiC MOSFET在线状态监测方法和系统是由李豪;田鑫;向大为;成芮俊杰设计研发完成，并于2023-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SiC MOSFET在线状态监测方法和系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种SiCMOSFET在线状态监测方法和系统，方法包括如下步骤：以非接触方式采集SiCMOSFET栅极回路的开关电流振荡信号，并提取用于状态监测的幅值信息；获取SiCMOSFET的运行参数信息，基于预先标定好的SiCMOSFET栅极高频开关振荡电路峰值的运行特性，对所述幅值信息进行工况补偿，得到补偿后的额定工况下栅极高频开关振荡电路峰值；基于额定工况下栅极高频开关振荡电路峰值，评估器件老化的程度。与现有技术相比，本发明具有灵敏度高、安全性高等优点。
本发明授权一种SiC MOSFET在线状态监测方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种SiCMOSFET在线状态监测方法，其特征在于，包括如下步骤： 以非接触方式采集SiCMOSFET栅极回路的开关电流振荡信号，并提取用于状态监测的幅值信息； 获取SiCMOSFET的运行参数信息，基于预先标定好的SiCMOSFET栅极高频开关振荡电路峰值的运行特性，对所述幅值信息进行工况补偿，得到补偿后的额定工况下栅极高频开关振荡电路峰值； 基于额定工况下栅极高频开关振荡电路峰值，评估器件老化的程度。
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