苏州晶湛半导体有限公司刘慰华获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利多量子阱结构、发光二极管和发光组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116615808B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080106824.0，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权多量子阱结构、发光二极管和发光组件是由刘慰华;程凯设计研发完成，并于2020-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本多量子阱结构、发光二极管和发光组件在说明书摘要公布了：一种多量子阱结构10、发光二极管和发光组件，该多量子阱结构10包括由第一膜层111、插入层112和第二膜层113构成的至少一个叠层，该至少一个叠层为多个且彼此叠置。插入层112位于第一膜层111和第二膜层113之间。插入层112包括单体结构和或超晶格结构。第一膜层包括In、Ga和N，插入层包括Al、Ga和N，第二膜层包括Ga和N。该多量子阱结构可以激发出更长波长的光，且防止因低温外延生长第一膜层出现的缺陷等不良。
本发明授权多量子阱结构、发光二极管和发光组件在权利要求书中公布了：1.一种多量子阱结构，其特征在于，包括由第一膜层、插入层和第二膜层构成的至少一个叠层，所述至少一个叠层为多个且彼此叠置，所述插入层位于所述第一膜层和所述第二膜层之间； 其中，所述插入层包括单体结构和或超晶格结构，所述第一膜层包括In、Ga和N，所述插入层包括Al、Ga和N，所述第二膜层包括Ga和N；沿所述第一膜层至所述第二膜层的方向，所述插入层中的Al的组分含量逐渐增加而出射更长的电致发光波长的光或Al的组分含量逐渐减小而出射更短的电致发光波长的光； 所述第一膜层和所述插入层之间的晶格差异以及所述插入层和所述第二膜层之间的晶格差异小于所述第一膜层和所述第二膜层之间的晶格差异且所述插入层的禁带宽度大于第一膜层和第二膜层的禁带宽度。
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