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龙图腾网获悉中科意创(广州)科技有限公司申请的专利一种降低纳米金属膏空洞率的烧结粘接方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116618648B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310577774.X，技术领域涉及：B22F1/107；该发明授权一种降低纳米金属膏空洞率的烧结粘接方法和应用是由汪礼胜;於挺;任广辉设计研发完成，并于2023-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种降低纳米金属膏空洞率的烧结粘接方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于器件封装技术领域，具体涉及一种降低纳米金属膏空洞率的烧结粘接方法和应用。所述降低纳米金属膏空洞率的烧结粘接方法，包括以下步骤：S1、将纳米膏体印刷到被粘接基材上；S2、将电子器件安放到纳米银膏上；S3、将贴有电子器件的基材进行冷冻干燥；S4、将干燥后的产品进行烧结；所述冷冻干燥包括以下操作：第一阶段：预冻，所述预冻的温度为10℃以下；第二阶段：初次干燥；第三阶段：二次干燥；第四阶段：最终干燥；或第一阶段：预冻，所述预冻的温度为10℃以下；第二阶段：初次干燥；第三阶段：最终干燥。本发明的烧结粘接方法能够有效降低金属键合的空洞率，提高导热率和提升键合强度，最终提高器件的可靠性。

本发明授权一种降低纳米金属膏空洞率的烧结粘接方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种降低纳米金属膏空洞率的烧结粘接方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、将纳米银膏印刷到被粘接基材上； S2、将电子器件安放到纳米银膏上； S3、将贴有电子器件的基材进行冷冻干燥； S4、将干燥后的产品进行烧结； 步骤S3中所述冷冻干燥包括以下操作： 第一阶段：预冻，所述预冻的温度为-10℃以下；第二阶段：初次干燥；第三阶段：二次干燥；第四阶段：最终干燥； 或第一阶段：预冻，所述预冻的温度为-10℃以下；第二阶段：初次干燥；第三阶段：最终干燥； 步骤S3中所述初次干燥的真空值低于10mbar； 步骤S3中所述二次干燥或最终干燥的真空值低于1mbar； 步骤S3中预冻时间为10min或30min； 所述冷冻干燥采用梯度提升真空度的方式进行； 所述干燥时间与预冻时间保持一致； 步骤S3中所述初次干燥的温度为第一阶段的温度； 步骤S3中所述二次干燥或最终干燥的温度为第一阶段的温度。

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