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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种MEMS六合一单片集成传感器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116621114B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310499321.X，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种MEMS六合一单片集成传感器及其制作方法是由陶虎;李晓辉;秦楠设计研发完成，并于2023-05-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS六合一单片集成传感器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于MEMS技术的六合一单片集成传感器的制作方法，其包括在硅片上沉积隔离层，利用多晶硅制作牺牲层，沉积低应力氮化硅作为结构层和敏感膜片，在敏感膜片上制作敏感器件，使得XeF2气体透过敏感膜片上的腐蚀释放孔对牺牲层进行腐蚀，停止腐蚀后封堵所有的腐蚀释放孔。本发明的六合一单片集成传感器在单个硅片上集成了压力、加速度、气体、湿度、温度和麦克风传感器的功能，可以应用于复杂的场景如应急救援和公共安全等，从而提高作业效率；并且采用以上牺牲层和腐蚀的材料使得该集成传感器的成品率达到了一个较高的水平，制作成本也会较大幅度地降低，而且可与IC兼容。

本发明授权一种MEMS六合一单片集成传感器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS六合一单片集成传感器的制作方法，用于加速度传感器、压力传感器、气体传感器、湿度传感器、温度传感器和麦克风传感器的集成，其特征在于，包括： 步骤S1：提供一硅片，在硅片上沉积一层隔离层； 步骤S2：利用多晶硅在所述隔离层上分别制作得到加速度、压力、气体、湿度传感器各自的凸台和与各个凸台邻接的腐蚀引脚，作为牺牲层，从而得到具有牺牲层的硅片； 步骤S3：在具有牺牲层的硅片上沉积一层低应力氮化硅，作为结构层和敏感膜片； 步骤S4：在所述敏感膜片上制作基于敏感膜片形变而变化的敏感器件，所述敏感器件包括加速度、压力和温度传感器所需的敏感电阻； 步骤S5：在对应于麦克风传感器处刻蚀直到硅片显露，形成麦克风传感器的凹槽； 步骤S6：在麦克风传感器的凹槽处自下而上依次制作麦克风传感器的下电极、麦克风传感器的支撑层和麦克风传感器的振动膜片； 步骤S7：在加速度传感器、压力传感器、温度传感器的敏感电阻上分别制作加速度、压力、温度传感器的电极引线，在气体传感器处的敏感膜片上依次制作气体传感器的加热电极、绝缘层和测试电极，在湿度传感器处的敏感膜片上制作湿度传感器的测试电极，并在加速度传感器处的敏感膜片上制作质量块； 步骤S8：对所述腐蚀引脚上方的敏感膜片进行刻蚀，得到贯穿所述敏感膜片的腐蚀释放孔； 步骤S9：将硅片放置在XeF2气体氛围中，使得XeF2气体透过腐蚀释放孔对牺牲层进行腐蚀，在观察到凸台的颜色全部变化时停止腐蚀； 步骤S10：在腐蚀释放孔处沉积氮化硅和二氧化硅交替而形成的多层材料，得到封堵层，来封堵所有的腐蚀释放孔； 步骤S11：对麦克风传感器的支撑层进行腐蚀，形成麦克风传感器的空气间隙； 步骤S12：通过刻蚀加速度传感器处的敏感膜片，来释放得到加速度传感器的悬臂梁； 步骤S13：在气体传感器和湿度传感器的测试电极上分别涂覆气体传感器的气敏材料和湿度传感器的湿敏材料，得到MEMS六合一单片集成传感器。

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