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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利一种AlN/HfO2界面结构设计方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116646034B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310630017.4，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种AlN/HfO2界面结构设计方法及装置是由余念念;叶锋宇;汪礼胜;王嘉赋设计研发完成，并于2023-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种AlN/HfO2界面结构设计方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种AlNHfO2界面结构设计方法及装置，包括：建立AlNHfO2的第一界面模型；对第一界面模型的界面结构进行优化，得到预设个数的第二界面模型；其中，每个第二界面模型对应的界面结构中的氧含量不同；对每个第二界面模型对应的界面结构进行优化，得到每个第二界面模型对应的能量值；计算得到每个第二界面模型对应的电子俘获能和空穴俘获能；根据电子俘获能和空穴俘获能，确定具有高电子俘获能的第三界面模型对应的界面结构。本发明通过计算氧含量不同的第二界面模型的电子俘获能和空穴俘获能，确定具有高电子俘获能的第三界面模型对应的界面结构，解决了无法快速筛选出具有高电子俘获能力的界面结构，导致实验数据难以分析，浪费大量时间的问题。

本发明授权一种AlN/HfO2界面结构设计方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种AlNHfO2界面结构设计方法，其特征在于，包括： 根据AlN的界面结构和HfO2的界面结构，建立AlNHfO2的第一界面模型； 对所述第一界面模型的界面结构进行结构优化，得到预设个数的第二界面模型；其中，每个第二界面模型对应的界面结构中的氧含量不同； 对每个所述第二界面模型对应的界面结构进行结构优化，得到每个所述第二界面模型对应的能量值；根据所述能量值，计算得到每个所述第二界面模型对应的电子俘获能和空穴俘获能； 根据所述电子俘获能和所述空穴俘获能，确定具有高电子俘获能的第三界面模型对应的界面结构； 所述根据AlN的界面结构和HfO2的界面结构，建立AlNHfO2的第一界面模型，包括： 将所述HfO2的界面结构进行旋转处理，得到HfO2的旋转界面结构； 根据赝氢对所述HfO2的旋转界面结构与所述AlN的界面结构的异质结上下端的悬挂键进行钝化，得到AlNHfO2的第一界面模型； 所述对所述第一界面模型的界面结构进行结构优化，得到预设个数的第二界面模型，包括： 设置第一性原理计算软件VASP的运行参数； 根据运行参数，通过所述第一性原理计算软件VASP对所述第一界面模型的界面结构进行原子位置优化，得到第二界面模型； 在所述第二界面模型中的所述AlN的界面结构和所述HfO2的界面结构之间的稳定能量少于第一预设阈值的情况下，输出所有得到的第二界面模型。

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