安徽格恩半导体有限公司李水清获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种内置压电极化调控层的半导体激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116667148B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310604539.7，技术领域涉及：H01S5/30；该发明授权一种内置压电极化调控层的半导体激光元件是由李水清;王星河;刘紫涵;蔡鑫;张江勇;马斯特;白怀铭;陆恩;周进泽;牧立一;徐浩翔设计研发完成，并于2023-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种内置压电极化调控层的半导体激光元件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种内置压电极化调控层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与上波导层之间和有源层与下波导层之间设有压电极化调控层；所述压电极化调控层为HfO2、NiCo2O4、CoFe2O4、FeF2、ZrO2的任意一种或任意组合；压电极化调控层在电流注入的电场作用下产生压电极化，调和有源层的自发极化和压电极化，降低量子限制Stark效应，降低激光元件的价带带接，提升空穴的注入效率和输运，提升激光元件的受激辐射和电激射增益，同时，缓解热失配导致的压电极化上升，降低激光元件的激发阈值，增强限制因子，提升激光元件的激射功率和斜率效率。
本发明授权一种内置压电极化调控层的半导体激光元件在权利要求书中公布了：1.一种内置压电极化调控层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底100、下限制层101、下波导层102，有源层103、上波导层104、电子阻挡层105、上限制层106，其特征在于：有源层103与上波导层104之间和有源层103与下波导层之间设有压电极化调控层107； 所述压电极化调控层在电流注入的电场作用下产生压电极化，调和有源层的自发极化和压电极化，降低量子限制Stark效应，降低激光元件的价带带接，提升空穴的注入效率和输运，提升激光元件的受激辐射和电激射增益，同时，缓解热失配导致的压电极化上升，降低激光元件的激发阈值，增强限制因子，提升激光元件的激射功率和斜率效率； 所述压电极化调控层107为HfO2、NiCo2O4、CoFe2O4、FeF2、ZrO2的任意一种或任意组合。
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