天津理工大学丁轶获国家专利权
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龙图腾网获悉天津理工大学申请的专利一种多孔金属间化合物材料及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116732388B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310529749.4,技术领域涉及:C22C19/03;该发明授权一种多孔金属间化合物材料及其制备方法是由丁轶;林会平;韩久慧;张敏;林泽京设计研发完成,并于2023-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多孔金属间化合物材料及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种多孔金属间化合物材料,所述材料的化学式为Ni1‑2M,所述M包括Mg、Zn中的一种,所述Ni为镍元素,所述Mg为镁元素,所述Zn为锌元素,所述材料的化学式中的元素满足电荷平衡;所述材料具有双连续开放孔结构。本发明获得材料的结构呈有序的晶格点阵排布,活性位点分布更均匀,几何效应增强;成键方式倾向于共价键,电子局域化共享,电子效应增强;独特的双连续开放孔结构、高电导率和热导率、大的比表面积和高催化活性等特点。
本发明授权一种多孔金属间化合物材料及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种多孔金属间化合物材料,其特征在于,所述金属间化合物材料的化学式为Ni1-2M,所述M包括Mg、Zn中的一种,所述Ni为镍元素,所述Mg为镁元素,所述Zn为锌元素,所述金属间化合物材料的化学式中的元素满足电荷平衡;所述金属间化合物材料具有双连续开放孔结构,所述金属间化合物材料具有化学有序的晶格点阵结构; 所述金属间化合物材料的化学式为MgNi2,所述MgNi2的双连续开放孔结构的平均孔径为30nm-500nm,所述MgNi2的化学有序的晶格点阵结构为六方晶系结构;所述MgNi2具有22.49°、44.01°、44.93°、45.91°、71.96°、79.57°的特征XRD衍射峰;或,所述金属间化合物材料的化学式为β1-NiZn,所述β1-NiZn的双连续开放孔结构的平均孔径为200nm-500nm,所述β1-NiZn的化学有序的晶格点阵结构为四方晶系结构;所述β1-NiZn具有43.22°、46.60°、57.28°、68.02°、76.85°、84.09°的特征XRD衍射峰; 所述多孔金属间化合物材料的制备方法选自I方案或II方案: I方案:将金属间化合物的合金前驱体置于密闭环境中处理,所述密闭环境包括真空环境、惰性气氛环境、还原气氛环境中的一种,所述处理的条件包括压强在5×10-5Pa-500Pa,温度为300℃-550℃,升温速率为10℃min-50℃min,处理时间为0.5h-5h,反应结束后待炉子冷却将样品取出; II方案:将金属间化合物的合金前驱体和碱金属置于氩气氛围的密闭器皿中,然后将具有金属间化合物的合金前驱体和碱金属的器皿整体转移至具有惰性气氛环境或还原气氛环境中,再在压强为50Pa-500Pa、温度为200℃-400℃,升温的速率为10℃min-50℃min的条件下处理0.2h-3h;然后冷却后浸泡处理去除M和碱金属形成多孔结构。
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