拓荆科技(上海)有限公司赵坤获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆科技(上海)有限公司申请的专利一种加热盘、控制方法、存储介质及晶圆间距的调节机构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116904972B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310919957.5,技术领域涉及:C23C16/46;该发明授权一种加热盘、控制方法、存储介质及晶圆间距的调节机构是由赵坤;吴凤丽;杨华龙;张翔宇;张启辉;朱晓亮;高鹏飞设计研发完成,并于2023-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种加热盘、控制方法、存储介质及晶圆间距的调节机构在说明书摘要公布了:本发明提供了一种加热盘、控制方法、存储介质及晶圆间距的调节机构。所述加热盘包括:加热盘本体,用于加热其上的晶圆,以进行薄膜沉积;至少一个间距调节机构,其下端接触所述加热盘本体,而其上端至少在所述薄膜沉积的过程中支撑所述晶圆,其中,所述间距调节机构的下端由压电材料制成,根据受到的控制电压进行伸缩,以调节所述晶圆到所述加热盘本体的距离;以及控制器,连接所述至少一个间距调节机构的下端,并被配置为:根据所述加热盘本体的本体温度,确定所述间距调节机构的控制电压;以及将所述控制电压提供到所述间距调节机构的下端,以将所述晶圆到所述加热盘本体的距离调节到对应所述本体温度的目标距离。
本发明授权一种加热盘、控制方法、存储介质及晶圆间距的调节机构在权利要求书中公布了:1.一种加热盘,其特征在于,包括: 加热盘本体,用于加热其上的晶圆,以进行薄膜沉积; 设于所述加热盘中心区域的第一间距调节机构,以及设于所述加热盘边缘区域的第二间距调节机构,其中,所述第一间距调节机构及所述第二间距调节机构的下端接触所述加热盘本体,而其上端至少在所述薄膜沉积的过程中支撑所述晶圆,所述第一间距调节机构及所述第二间距调节机构的上端由陶瓷材料制成,至少在薄膜沉积的过程中支撑所述晶圆,所述第一间距调节机构及所述第二间距调节机构的下端由压电材料制成,根据受到的控制电压进行伸缩,以调节所述晶圆到所述加热盘本体的距离;以及 控制器,连接所述第一间距调节机构及所述第二间距调节机构的下端,并被配置为:为所述第一间距调节机构确定较高的第三控制电压,并为所述第二间距调节机构确定较低的第四控制电压,以减小所述第二间距调节机构对所述晶圆的边缘区域的支撑力;以及将所述控制电压提供到所述间距调节机构的下端,以将所述晶圆到所述加热盘本体的距离调节到对应本体温度的目标距离。
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