绍兴中芯集成电路制造股份有限公司蔡双获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法和电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116924322B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310837880.7，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种半导体器件及其制备方法和电子装置是由蔡双;王新龙设计研发完成，并于2023-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制备方法和电子装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制备方法和电子装置，方法包括：提供盖帽基底，具有第一空腔和第二空腔；形成第一虚拟图案层，第一虚拟图案层覆盖第一空腔；形成第二虚拟图案层和第三虚拟图案层，第二虚拟图案层覆盖第一虚拟图案层且露出第一虚拟图案层的部分底面，第三虚拟图案层覆盖第二空腔且露出第二空腔的部分底面；沉积吸气材料层，第一虚拟图案层上的吸气材料层与第二虚拟图案层之间形成有第一剥离切入口；去除第一虚拟图案层、第二虚拟图案层和第三虚拟图案层，以使得第一虚拟图案层上的吸气材料层、第二虚拟图案层上的吸气材料层、及第三虚拟图案层上的吸气材料层同时被去除。本发明的方法可以轻松完整地去除第一空腔的待剥离区域。
本发明授权一种半导体器件及其制备方法和电子装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供盖帽基底，所述盖帽基底具有第一空腔和第二空腔； 形成第一虚拟图案层，所述第一虚拟图案层覆盖所述第一空腔； 形成第二虚拟图案层和第三虚拟图案层，所述第二虚拟图案层覆盖所述第一虚拟图案层且露出所述第一虚拟图案层的部分底面，所述第三虚拟图案层覆盖所述第二空腔且露出所述第二空腔的部分底面； 在所述盖帽基底形成有所述第一空腔和所述第二空腔的一面沉积吸气材料层，所述第一虚拟图案层上的吸气材料层与所述第二虚拟图案层之间形成有第一剥离切入口； 去除所述第一虚拟图案层、所述第二虚拟图案层和所述第三虚拟图案层，以使得所述第一虚拟图案层上的吸气材料层、所述第二虚拟图案层上的吸气材料层、及所述第三虚拟图案层上的吸气材料层同时被去除。
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