三井化学株式会社茅场靖刚获国家专利权
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龙图腾网获悉三井化学株式会社申请的专利用于生成半导体装置用膜的组合物以及各制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117070147B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311043410.X，技术领域涉及：C09D183/08；该发明授权用于生成半导体装置用膜的组合物以及各制造方法是由茅场靖刚;田中博文;井上浩二设计研发完成，并于2016-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于生成半导体装置用膜的组合物以及各制造方法在说明书摘要公布了：一种用于生成半导体装置用膜的组合物，其包含：化合物A，具有Si‑O键以及包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团；交联剂B，在分子内具有3个以上‑C＝OOX基X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基，3个以上‑C＝OOX基中，1个以上6个以下为‑C＝OOH基，所述交联剂B的重均分子量为200以上600以下；添加剂C，所述添加剂C选自由具有羧基且重均分子量46以上195以下的酸C‑1和具有氮原子且重均分子量17以上120以下的碱C‑2组成的组中的至少一种以及极性溶剂D，所述交联剂B在分子内具有环结构，所述交联剂B中的羧基数相对于所述化合物A中的全部氮原子数的比率，即COOHN为0.1以上3.0以下。
本发明授权用于生成半导体装置用膜的组合物以及各制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于生成半导体装置用膜的组合物，其包含： 化合物A，具有Si-O键以及包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团； 交联剂B，在分子内具有3个以上-C＝OOX基，其中，X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基，3个以上-C＝OOX基中，1个以上6个以下为-C＝OOH基，所述交联剂B的重均分子量为200以上600以下； 添加剂C，所述添加剂C选自由具有羧基且重均分子量46以上195以下的酸C-1和具有氮原子且重均分子量17以上120以下的碱C-2组成的组中的至少一种；以及 极性溶剂D， 所述交联剂B在分子内具有环结构， 所述交联剂B中的羧基数相对于所述化合物A中的全部氮原子数的比率，即COOHN为0.1以上3.0以下， 酸C-1中的羧基数相对于化合物A中的全部氮原子数的比率，即COOHN为0.5以上3以下，碱C-2中的氮原子数相对于交联剂B中的羧基数的比率，即NCOOH为0.9以上3以下。
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