北京航空航天大学杨树斌获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种气相法生长MXene材料的方法、系统和用途获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117163963B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310735730.5，技术领域涉及：C01B32/921；该发明授权一种气相法生长MXene材料的方法、系统和用途是由杨树斌;杜志国;张继凯;陶熠设计研发完成，并于2023-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种气相法生长MXene材料的方法、系统和用途在说明书摘要公布了：本发明公开了一种气相法生长MXene材料的方法、系统和用途，该方法的步骤包括：过渡金属单质粉末与介质盐混合，加热至所述介质盐熔融，形成熔融混合物；在预定反应温度下，熔融混合物与气态原料反应，得到MXene材料；气态原料包括：过渡金属卤化盐和X源；和或，X源和卤族气体；X源为碳源和或氮源；碳源选自碳的氢化物、碳的氢卤化物、碳的卤化物中的至少一种；氮源选自：氮气、氮的氢化物中的至少一种，优选地，介质盐选自碱金属的卤化盐和或碱土金属的卤化盐。本发明的方法是在开放体系下，MXene于气液相界面生长，可实现连续化的制备，和或，方便地进行MXene官能团调整，为MXene材料的高效制备又提供了一条新的技术路径。
本发明授权一种气相法生长MXene材料的方法、系统和用途在权利要求书中公布了：1.一种气相法生长MXene材料的方法，其特征在于，步骤包括： 过渡金属单质粉末与介质盐混合，加热至所述介质盐熔融，形成熔融混合物； 在预定反应温度下，所述熔融混合物与气态原料反应，得到MXene材料；所述气态原料包括：过渡金属卤化盐和X源；和或，X源和卤族气体； 所述X源为碳源和或氮源；所述碳源选自碳的氢化物、碳的氢卤化物、碳的卤化物中的至少一种；所述氮源选自：氮气、氮的氢化物中的至少一种。
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