粤芯半导体技术股份有限公司欧阳文森获国家专利权
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龙图腾网获悉粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利监控清洗试剂有效刻蚀的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117192046B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311364165.2，技术领域涉及：G01N33/00；该发明授权监控清洗试剂有效刻蚀的方法是由欧阳文森;张扬;王胜林设计研发完成，并于2023-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本监控清洗试剂有效刻蚀的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种监控清洗试剂有效刻蚀的方法，包括：配置不同含水量的清洗液，清洗液包括三乙醇胺、三乙醇胺乙酸盐、氟化铵和水；于相同的刻蚀温度下，采用不同含水量的清洗液与TEOS制品接触以对TEOS制品的表面进行刻蚀；检测不同含水量的清洗液对TEOS制品的表面的刻蚀速率；建立刻蚀速率随清洗液的含水量的变化曲线。该监控清洗试剂有效刻蚀的方法能够对清洗液的刻蚀速率和清洗效果进行准确有效的监控。
本发明授权监控清洗试剂有效刻蚀的方法在权利要求书中公布了：1.一种监控清洗试剂有效刻蚀的方法，其特征在于，包括： 配置不同含水量的清洗液，所述清洗液包括三乙醇胺、三乙醇胺乙酸盐、氟化铵和水； 于相同的刻蚀温度下，采用所述不同含水量的清洗液与TEOS制品接触以对TEOS制品的表面进行刻蚀； 检测所述不同含水量的清洗液对所述TEOS制品的表面的刻蚀速率，包括：使用清洗液对TEOS制品进行刻蚀，取刻蚀稳定区间的刻蚀速率作为预设刻蚀速率，所述刻蚀稳定区间满足：在所述刻蚀稳定区间内刻蚀速率的最大值和最小值之间的差值小于0.2Amin，所述刻蚀稳定区间的时间长度为100s~200s； 建立所述刻蚀速率随所述清洗液的含水量的变化曲线。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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