兰州空间技术物理研究所董茂进获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉兰州空间技术物理研究所申请的专利一种在硅氧烷表面制备有机膜层的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117210793B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311027668.0，技术领域涉及：C23C14/24；该发明授权一种在硅氧烷表面制备有机膜层的方法是由董茂进;冯煜东;王小军;秦丽丽;王冠;冯尔鹏;蔡宇宏;韩仙虎;王毅;马凤英设计研发完成，并于2023-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种在硅氧烷表面制备有机膜层的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种硅氧烷表面制备有机膜层的方法，涉及电子产品封装领域。在硅氧烷表面制备有机膜层的方法包括以下步骤：对硅氧烷表面进行离子源活化；向丙烯酸酯溶液中混合基材润湿剂，得到镀膜材料；利用所述镀膜材料，采用真空蒸镀的方式在离子源活化后的硅氧烷表面生长丙烯酸酯有机膜层；对所述有机膜层进行紫外固化。本发明一方面通过对硅氧烷表面进行离子源活化提高其表面能，另一方面在有机液体中加入表面润湿剂，最终使有机液体能充分浸润硅氧烷表面，采用真空蒸镀的方法，在硅氧烷表面生长有机膜层。解决了由于硅氧烷膜面的低表面能导致有机物无法形成膜层的难题，实现有机物膜层真空环境下的连续卷绕沉积，实现超高阻隔膜产品开发。
本发明授权一种在硅氧烷表面制备有机膜层的方法在权利要求书中公布了：1.一种在硅氧烷表面制备有机膜层的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1对硅氧烷表面进行离子源活化； 2向丙烯酸酯溶液中混合基材润湿剂，得到镀膜材料； 3利用所述镀膜材料，采用真空蒸镀的方式在离子源活化后的硅氧烷表面生长丙烯酸酯有机膜层； 4对所述有机膜层进行紫外固化，其中， 步骤1中，离子源活化的条件包括：本底真空3✕10-3Pa，采用阳极层离子源，电流密度5~10mWcm2，离子源活化后的硅氧烷表面的表面能为40~50达因， 步骤2中，所述基材润湿剂为TegoWet280基材润湿剂，所述基材润湿剂的体积为所述丙烯酸酯溶液的1%~3%，所述镀膜材料的表面能为30~40达因。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人兰州空间技术物理研究所，其通讯地址为：730010 甘肃省兰州市城关区飞雁街100号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励