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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种芯片结构及其封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117253960B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311291625.3，技术领域涉及：H10H20/858；该发明授权一种芯片结构及其封装结构是由请求不公布姓名;唐如梦;吴东东;刘诗雨设计研发完成，并于2023-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片结构及其封装结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种芯片结构及其封装结构。该芯片结构，包括基板，所述基板上依次设置有第一半导体层、有源层与第二半导体层，所述第二半导体层与有源层的数量至少为三组，所述第一半导体层、有源层与第二半导体层形成三组凸起结构，相邻凸起结构之间设置有相应的凹陷结构，其中一组所述凸起结构的表面设置有第三绝缘层，所述第三绝缘层的表面连接有热扩散层；该芯片结构及其封装结构，搭配高效的导热基板，可以有效释放热量，降低系统热阻，提高器件稳定性。

本发明授权一种芯片结构及其封装结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片结构，其特征在于，该芯片结构包括基板1，所述基板1上依次设置有第一半导体层2、有源层4与第二半导体层3，所述第二半导体层3与有源层4的数量至少为三组，所述第一半导体层2、有源层4与第二半导体层3形成三组凸起结构，相邻凸起结构之间设置有相应的凹陷结构，其中一组所述凸起结构的表面设置有第三绝缘层13，所述第三绝缘层13的表面连接有热扩散层14； 所述第二半导体层3的表面欧姆接触有第一导电层5，所述第一导电层5的表面连接有反射层6，所述反射层6的表面连接有第二导电层7，所述第二导电层7连接有第一焊盘8，所述第一焊盘8为其他两组所述凸起结构中的任一一组的顶部位置； 所述第二半导体层3的部分表面与第一导电层5的部分连接连接有第一绝缘层9，所述第一绝缘层9覆盖于凹陷结构内； 所述第一绝缘层9的部分表面连接有第二绝缘层10，所述第二绝缘层10的表面还设置第三导电层11，所述第三导电层11与第一半导体层2连通，所述凸起结构中存在一组凸起结构的顶部位置设置有第二焊盘12，所述第二焊盘12与所述第三导电层11连通，所述第三绝缘层13覆盖于所述第三导电层11的表面，其中，所述热扩散层14位于第二焊盘12和第一焊盘8之间。

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