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龙图腾网获悉国电投核力创芯(无锡)科技有限公司申请的专利一种晶圆质子辐照过程中次级中子辐射场快速计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117473843B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311556455.7，技术领域涉及：G06F30/25；该发明授权一种晶圆质子辐照过程中次级中子辐射场快速计算方法是由龚贺立;冯斌;李明玥;胡云凯;于天华;桂正亚;沈轩宇;刘辉设计研发完成，并于2023-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆质子辐照过程中次级中子辐射场快速计算方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶圆质子辐照过程中次级中子辐射场快速计算方法包括：步骤1、建立蒙特卡罗程序源项计算区域，利用蒙特卡罗程序建立质子束轰击晶圆的几何模型，以模拟质子加速器辐照过程；步骤2、利用程序建立球形探测器包覆晶圆，记录次级中子的能谱、粒子数以及方向信息，并将其作为后续计算的源项，进行下一步计算；步骤3、利用中子分出截面法根据已有的源项信息，计算空间内以及屏蔽墙外的剂量影响。本发明通过两种方法进行耦合，可以显著提高辐射场的计算速度，部分场景计算速度提升超过百倍；通过中子的分出截面法的耦合计算，减少了蒙特卡罗数据库的使用，避免了蒙特卡罗方法的高难度建模要求，降低了使用门槛。

本发明授权一种晶圆质子辐照过程中次级中子辐射场快速计算方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆质子辐照过程中次级中子辐射场快速计算方法，包括： 步骤1、建立蒙特卡罗程序源项计算区域，利用蒙特卡罗程序建立质子束轰击晶圆的几何模型，以模拟质子加速器辐照过程； 步骤2、利用程序建立球形探测器包覆晶圆，记录次级中子的能谱、粒子数以及方向信息，并将其作为后续计算的源项，进行下一步计算； 步骤3、利用中子分出截面法根据已有的源项信息，计算空间内以及屏蔽墙外的剂量影响； 所述步骤3还包括： 步骤31、利用中子分出截面法读取蒙特卡罗方法计算的数据进行下一步辐射场计算； 步骤32、在多层重材料和含氢材料组合的屏蔽下，各向同性点源在剂量点处的中子剂量当量率可表示为 ； 式中，S为中子源强度，ti为第i层重材料屏蔽厚度，ΣR,i为相对于源中子的第i层重材料的分出截面； 为中子在含氢介质中的剂量当量率减弱因子，其值由： 计算； 式中，E0为源中子能量，E0为快中子能量下限，Σt,H为中子与氢碰撞的总截面，R为中子在氢介质中的穿透距离，KH为中子注量率剂量当量率转换系数； 步骤33、在含氢材料与其他重材料均匀混合的屏蔽体屏蔽下，各向同性点源在剂量点处的中子剂量当量率为： ； 式中，fHr为快中子在等效体密度的纯氢介质中的剂量当量率减弱因子，Ai、ρi、σR,i分别为混合体重除氢以外的第i中元素的原子量、密度和微观分出截面，NA为阿伏伽德罗常数； 步骤34、对于多层组合屏蔽和具有任意能谱SE0的各向同性中子点源，在剂量点r处的中子剂量当量率为： ； 式中，，ΣR'为含氢介质内除氢以外的物质的分出截面。

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