南京邮电大学薛俊俊获国家专利权
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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种具有核壳结构的GaN纳米线Ga2O3@Pt量子点及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117801821B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311817276.4，技术领域涉及：C09K11/87；该发明授权一种具有核壳结构的GaN纳米线Ga2O3@Pt量子点及其制备方法和应用是由薛俊俊;高竹君;袁知渊;汪金;智婷设计研发完成，并于2023-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有核壳结构的GaN纳米线Ga2O3@Pt量子点及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提出了一种GaN纳米线Ga2O3@Pt量子点核壳结构，该结构通过利用浸渍还原和光沉积两步法修饰贵金属Pt。Ga2O3作为表层包覆在Pt上，可以有效的抑制副反应所带来的负面影响，而Pt金属颗粒下的表面形成的异质结构中的Ga2O3层，可以作为空穴阻挡层，有效提升光生载流子的分离效率。另外通过等离子体辅助分子束外延MBE技术，可以实现在Si衬底上生长GaN纳米线阵列。
本发明授权一种具有核壳结构的GaN纳米线Ga2O3@Pt量子点及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种具有壳核结构的GaN纳米线Ga2O3@Pt量子点，其特征在于：所述壳核结构以Pt为核，外层包覆有Ga2O3； 其中，所述Ga2O3的上表层作为分子筛，下表层作为空穴阻挡层； 所述Pt采用浸渍还原和光沉积两步法修饰，包括， 浸渍还原：GaN纳米线样品浸入前驱体溶液A中，加热后取出，用N2吹干后，接着退火； 光沉积：纳米线样品浸入前驱体溶液B中，光沉积Pt后，用乙醇和去离子水洗涤，最后用N2气体干燥，即可得到GaN纳米线Ga2O3@Pt量子点壳核结构； 其中，所述前驱体溶液A为H2PtCl6水溶液和去离子水的混合溶液，其中，H2PtCl6溶液和去离子水的体积比例为1∶250； 所述前驱体溶液B为H2PtCl6水溶液、甲醇和去离子水混合溶液，其中，H2PtCl6水溶液、甲醇和去离子水的体积比例为3∶200∶8000。
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