中国人民解放军战略支援部队信息工程大学单征获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军战略支援部队信息工程大学申请的专利超导量子比特电容、超导量子比特及超导量子电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118042919B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410059280.7，技术领域涉及：H10N69/00；该发明授权超导量子比特电容、超导量子比特及超导量子电路是由单征;穆清;张潮洁;刘星江;查治国;刘福东;赵博;王立新;侯一凡;韩鹏宇;王文青设计研发完成，并于2024-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本超导量子比特电容、超导量子比特及超导量子电路在说明书摘要公布了：本发明涉及超导量子计算技术领域，特别涉及一种具有长退相干时间的新型的超导量子比特电容及含该电容的超导量子比特和超导量子电路，其中，超导量子比特电容设计为包含：相对设置的第一电极板和第二电极板，及位于第一电极板和第二电极板之间的电介质，第一电极板的内侧面上形成有第一波浪面，第二电极板的内侧面上形成有与第一波浪面结构匹配的第二波浪面，第一波浪面和第二波浪面两者的波峰和波谷相互交替配合，且第一波浪面和第二波浪面之间设置有间隙。本发明可提高超导量子比特性能表现，延长其退相干时间，能够适用于当前超导量子计算机芯片设计中超导量子比特的平行替换，尤其是在核心微结构方面，具有易替换性和高性能的特性。
本发明授权超导量子比特电容、超导量子比特及超导量子电路在权利要求书中公布了：1.一种超导量子比特电容，包含：相对设置的第一电极板和第二电极板，及位于第一电极板和第二电极板之间的电介质，其特征在于，第一电极板的内侧面上形成有第一波浪面，第二电极板的内侧面上形成有与第一波浪面结构匹配的第二波浪面，第一波浪面和第二波浪面两者的波峰和波谷相互交替配合，且第一波浪面和第二波浪面之间设置有间隙； 所述第一波浪面和第二波浪面两者中波峰与波峰之间的间距均为180±5μm，波峰与波谷之间的高度差均为90±5μm。
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