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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利一种电容位移传感器制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118392017B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410624455.4，技术领域涉及：G01B7/02；该发明授权一种电容位移传感器制造方法是由王凌云;张伟霖;周祖航;卜振翔;李佳音;吴宇宸设计研发完成，并于2024-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电容位移传感器制造方法在说明书摘要公布了：一种电容位移传感器制造方法，涉及电容位移传感器，涉及一种电容位移传感器。提供与半导体工艺兼容的一种电容位移传感器制造方法。设有探头、绝缘基板、上壳体、下壳体、电缆。所述探头采用半导体工艺制造，探头主体的导电与绝缘部分集成制造，探头正面为三个导电部分和两个绝缘部分相互共面嵌套，作为测量平面；探头背面制备绝缘层，在特定位置嵌有导电材料，与绝缘基板粘接和电学连接。探头通过绝缘基板与下壳体固定连接，电缆穿过上壳体与绝缘基板的导电材料连接；所述绝缘基板与传感器金属上下壳体粘接，其中的导电材料与电缆连接。具有批量制造降低成本、降低装配难度、提高装配同轴度的优点。

本发明授权一种电容位移传感器制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电容位移传感器，其特征在于设有探头、绝缘基板、上壳体、下壳体、电缆；所述探头是一个扁圆柱体，包括三个同轴的导电部分，且有两个同轴绝缘部分使之相互绝缘；三个同轴的导电部分为测量电极、保护环和地环；两个同轴绝缘部分为内绝缘环和外绝缘环；所述导电部分的材质为半导体材料，即硅、碳化硅或氮化镓；所述绝缘部分的材质为环氧树脂胶、玻璃或氧化铝陶瓷；探头通过绝缘基板与下壳体固定连接，电缆穿过上壳体与绝缘基板的导电材料连接；测量电极、保护环和地环通过导电材料分别与电缆连接； 所述绝缘基板设有三个通孔结构，并填充导电材料；三个同轴的导电部分与两个同轴绝缘部分所构成的圆柱体在上下两侧均处于同一平面，并在该圆柱体一侧设有绝缘层；绝缘层在分别与测量电极、保护环、地环所对应的位置各有一个腔体，腔体下表面暴露所对应的导电部分，在腔体中分别填充有第一导电材料、第二导电材料、第三导电材料，并相互绝缘； 所述绝缘基板在分别与第一导电材料、第二导电材料、第三导电材料所对应的位置各有一个垂直通孔，并分别被第四导电材料、第五导电材料、第六导电材料所填充，且相互绝缘； 探头与绝缘基板粘接，绝缘基板与下壳体固定，下壳体与上壳体拼接，电缆与绝缘基板的导电材料连接，电缆与上壳体固定，探头的下表面高于下壳体的下表面；探头的测量电极、保护环、地环分别通过探头的第一导电材料、第二导电材料、第三导电材料，以及绝缘基板中的第四导电材料、第五导电材料、第六导电材料，实现电学信号的垂直互连。

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