华硼中子科技(杭州)有限公司王盛获国家专利权
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龙图腾网获悉华硼中子科技(杭州)有限公司申请的专利一种高结合力多梯度靶系统及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118450586B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410558773.5，技术领域涉及：H05H6/00；该发明授权一种高结合力多梯度靶系统及其制备方法是由王盛;王洁;谢宇鹏;胡耀程;司清宇;孙秋宇;吴涛;胡泽鸣;杨一帆设计研发完成，并于2024-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高结合力多梯度靶系统及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及核技术领域，公开了一种高结合力多梯度靶系统及其制备方法。该多梯度靶系统包括：基底，设于基底上表面的氢扩散层，设于氢扩散层表面的靶材层。氢扩散层以氢扩散材料为基质，基质中分散有与基底材质相同的掺杂元素，且由下到上氢扩散层中所述掺杂元素的含量多梯度降低。本发明将靶系统的氢扩散层设计为不同元素比例的多层梯度结构，能够显著提高氢扩散层与基底的结合力，同时也更有助于氢的扩散和迁移，可极大降低膜层剥落、鼓泡的几率，从而延长靶系统的使用寿命。本发明采用多次喷涂且喷枪移动速率、氢气流量逐次降低的方式，可成功在基底上构建形成具有多层梯度结构的氢扩散层。
本发明授权一种高结合力多梯度靶系统及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高结合力多梯度靶系统的制备方法，其特征在于： 高结合力多梯度靶系统包括：铜基底，设于铜基底上表面的氢扩散层，设于氢扩散层表面的靶材层锂层，氢扩散层以氢扩散材料钽为基质，基质中分散有铜，且由下到上氢扩散层中铜的含量多梯度降低； 高结合力多梯度靶系统的制备方法包括： 1在铜基底上表面4次喷涂钽，形成具有多层结构的氢扩散层；其中，喷涂第n层的喷枪移动速率Vn＝1000+A×250×4-n，A=0.8-1.2，Vn的单位为mms；氢气流量为Vg＝11+B×0.5×4-n，B=0.8-1.3，Vg的单位为Lmin； 2在氢扩散层表面构建靶材层。
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