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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利基于薄膜铌酸锂的紧凑型宽带偏振旋转分束器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118795602B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411160068.6，技术领域涉及：G02B6/126；该发明授权基于薄膜铌酸锂的紧凑型宽带偏振旋转分束器及制备方法是由夏金松;李炽均;曾成设计研发完成，并于2024-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于薄膜铌酸锂的紧凑型宽带偏振旋转分束器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于薄膜铌酸锂的紧凑型宽带偏振旋转分束器及制备方法，属于集成光学器件技术领域，该器件包括自下而上依次布置的衬底层、埋氧层、薄膜铌酸锂层和介质膜材料层；其中，衬底层、埋氧层和介质膜材料层用于保护薄膜铌酸锂层；薄膜铌酸锂层中包含有模斑转换器、模式演化器、宽度渐变锥形波导及第一弯曲波导和第二弯曲波导。模斑转换器、模式演化器、宽度渐变锥形波导及第一弯曲波导和第二弯曲波导顺序依次连接。本发明在薄膜铌酸锂片上实现偏振旋转分束功能，有助于实现偏振分复用技术，具有尺寸小、光学带宽大、消光比大及易集成的优点。

本发明授权基于薄膜铌酸锂的紧凑型宽带偏振旋转分束器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于薄膜铌酸锂的紧凑型宽带偏振旋转分束器，其特征在于，自下而上依次包括：衬底层1、埋氧层2、薄膜铌酸锂层3和介质膜材料层5，其中， 所述薄膜铌酸锂层3被光刻刻蚀出模斑转换器6、模式演化器7、宽度渐变锥形波导8、第一弯曲波导9和第二弯曲波导10； 所述模式演化器7由受激拉曼绝热路径技术所决定，包括模式演化器第一波导11、模式演化器第二波导12和模式演化器第三波导13；模斑转换器6的输出端与模式演化器第一波导11的输入端相连接； 所述模式演化器第一波导11的输出端、所述宽度渐变锥形波导8和所述第一弯曲波导9依次连接；所述模式演化器第三波导13的输出端与第二弯曲波导10相连接；所述模式演化器第二波导12和模式演化器第三波导13位于模式演化器第一波导11侧面的同侧,模式演化器第一波导11与模式演化器第三波导13平行，模式演化器第二波导12位于模式演化器第一波导11与模式演化器第三波导13之间，并以预设角度倾斜； 所述模式演化器第一波导11、模式演化器第二波导12、模式演化器第三波导13宽度均保持不变。

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