光科芯图(北京)科技有限公司秦宏鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉光科芯图(北京)科技有限公司申请的专利光刻系统和光刻系统的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118859635B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310480216.1，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权光刻系统和光刻系统的制作方法是由秦宏鹏;牛志元;丛敏;程智;谢稳;徐兴燃;盛乃援;傅俊隆设计研发完成，并于2023-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本光刻系统和光刻系统的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种光刻系统和光刻系统的制作方法，其中，光刻系统包括：发光结构；全息掩模板；聚焦透镜组，所述聚焦透镜组位于所述发光结构至所述全息掩模板的光路中；所述全息掩模板中包含全息图形，透过所述全息图形的曝光光束适于在所述聚焦透镜组的焦平面位置形成目标图形。所述光刻系统的结构简单。
本发明授权光刻系统和光刻系统的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种光刻系统，其特征在于，包括： 发光结构； 全息掩模板； 聚焦透镜组，所述聚焦透镜组位于所述发光结构至所述全息掩模板的光路中； 所述全息掩模板中包含全息图形，透过所述全息图形的曝光光束适于通过所述聚焦透镜组形成球面波，照射在所述聚焦透镜组的焦平面位置形成目标图形； 所述聚焦透镜组包括自所述发光结构至所述全息掩模板的光路中间隔排布的第一子凸透镜至第N子凸透镜以及位于所述发光结构至所述第一子凸透镜光路中的第三凹透镜，N为等于或者大于2的整数； 所述全息掩模板至第N子凸透镜朝向所述全息掩模板的一侧表面中心的距离小于所述聚焦透镜组的焦距； 所述全息掩模板至第N子凸透镜朝向所述全息掩模板的一侧表面中心的距离为8mm－10mm，所述聚焦透镜组的焦距为22mm－28mm。
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