买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉南通大学申请的专利电流孔径垂直电子晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118888582B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410973524.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权电流孔径垂直电子晶体管及其制备方法是由葛梅;黄俊文;崔晋铭设计研发完成，并于2024-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本电流孔径垂直电子晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件领域，提供了一种电流孔径垂直电子晶体管及其制备方法。该电流孔径垂直电子晶体管包括：衬底；位于衬底的下表面上的漏极；位于衬底的上表面上的N型漂移区和位于N型漂移区两侧并与N型漂移区邻接的第一层、第二层电流阻挡层；位于N型漂移区上和第二层电流阻挡层的至少一部分上的沟道区；位于沟道区上的势垒层和P型层；位于第二层电流阻挡层上并邻接沟道区、势垒层和P型层的源极；位于P型层上的栅极；位于源极和栅极之间的钝化层。该电流孔径垂直电子晶体管及其制备方法改善能带结构，提高阈值电压；增强栅控能力，提高跨导；优化电场分布，提高击穿电压；降低导通电阻，提高输出特性。

本发明授权电流孔径垂直电子晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电流孔径垂直电子晶体管，其特征在于，所述电流孔径垂直电子晶体管包括： 衬底110； 位于衬底110的下表面上的漏极121； 位于衬底110的上表面上的N型漂移区130和位于N型漂移区130两侧并与N型漂移区130邻接的第一层电流阻挡层140； 位于第一层电流阻挡层140上并与N型漂移区130邻接的第二层电流阻挡层150； 位于N型漂移区130上和第二层电流阻挡层150的至少一部分上的沟道层160； 位于沟道层160上的势垒层170；所述势垒层170的中间刻蚀出P型栅凹槽171；所述势垒层170还包括位于P型栅凹槽171两侧的势垒层突出部， 位于势垒层170上的P型层180； 位于第二层电流阻挡层150上并邻接沟道层160和势垒层170的源极122； 位于P型层180上的栅极123； 位于源极122和栅极123之间并与源极122、栅极123、和P型层180邻接的钝化层190， 所述钝化层190位于势垒层170的突出部的上表面的一部分上，源极122的源极突出部124至少部分地覆盖在势垒层突出部172上表面的剩余部分上。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南通大学，其通讯地址为：226019 江苏省南通市崇川区永福路79号1幢南通大学技术转移研究院；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。