泉州三安半导体科技有限公司蔡家豪获国家专利权
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龙图腾网获悉泉州三安半导体科技有限公司申请的专利发光二极管及发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118943266B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410976824.6，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权发光二极管及发光装置是由蔡家豪;黄敏;柯佳文;庄曜玮;邓有财;陈铭欣设计研发完成，并于2024-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管及发光装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种发光二极管及发光装置。发光二极管包括：发光外延层包括依次层叠的第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；绝缘层形成于所述发光外延层上，包括第一通孔和第二通孔；焊盘电极形成于所述绝缘层上，所述焊盘电极包括第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述第一焊盘电极通过所述第一通孔与所述第一导电类型半导体层电连接，所述第二焊盘电极通过所述第二通孔与所述第二导电类型半导体层电连接；其中，所述绝缘层在第一波段的反射率大于90％，所述绝缘层在第二波段的反射率小于15％，所述第一波段为430nm～500nm，所述第二波段为1000nm～1100nm。本申请通过增大焊盘电极与绝缘层的接触面积，从而增加绝缘层与焊盘电极接触的表面积提高绝缘层与焊盘电极的粘附性。
本发明授权发光二极管及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，包括： 发光外延层，包括依次层叠的第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层； 绝缘层，形成于所述发光外延层上，包括第一通孔和第二通孔； 焊盘电极，形成于所述绝缘层上，所述焊盘电极包括第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述第一焊盘电极通过所述第一通孔与所述第一导电类型半导体层电连接，所述第二焊盘电极通过所述第二通孔与所述第二导电类型半导体层电连接； 其中，所述绝缘层包括第一绝缘层和形成于所述第一绝缘层上的第二绝缘层，所述第一绝缘层包括布拉格反射层，所述第二绝缘层的厚度为500埃米至3000埃米；所述绝缘层在第一波段的反射率大于90％，所述绝缘层在第二波段的反射率小于15％，所述第一波段为430nm～500nm，所述第二波段为1000nm～1100nm。
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