上海大学赵婷婷获国家专利权
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龙图腾网获悉上海大学申请的专利半导体结构及半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969780B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410872697.5，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权半导体结构及半导体结构的制作方法是由赵婷婷;原理;张建华设计研发完成，并于2024-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构，包括：基板，包括若干器件区；位于基板上的沟道层以及与沟道层重叠的第一电互连层、第二电互连层和第三电互连层，沟道层包括位于各器件区上的沟道结构，第一电互连层包括位于各器件区上的漏电极，第二电互连层包括位于各器件区上的源电极，第三电互连层包括位于各器件区上的栅电极，各沟道结构与漏电极和源电极电连接，且各沟道结构与栅电极相互分立；位于各器件区上的电解质层，电解质层位于漏电极表面、沟道结构表面、源电极表面以及栅电极表面，不同器件区的电解质层之间相互隔离。本发明提供的技术方案解决了突触晶体管阵列内串扰的问题。
本发明授权半导体结构及半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基板，包括若干器件区； 位于所述基板上的沟道层以及与所述沟道层重叠的第一电互连层、第二电互连层和第三电互连层，所述沟道层包括位于各所述器件区上的沟道结构，所述第一电互连层包括位于各所述器件区上的漏电极，所述第二电互连层包括位于各所述器件区上的源电极，所述第三电互连层包括位于各所述器件区上的栅电极，各所述沟道结构与所述漏电极和源电极电连接，且各所述沟道结构与所述栅电极相互分立； 位于各所述器件区上的电解质层，所述电解质层位于所述漏电极表面、所述沟道结构表面、所述源电极表面以及所述栅电极表面，不同器件区的所述电解质层之间相互隔离。
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