西安电子科技大学李晓波获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于各向异性光热电材料的光电探测器、制备方法及加密方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092587B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411115392.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权基于各向异性光热电材料的光电探测器、制备方法及加密方法是由李晓波;张建斌;杨如森设计研发完成，并于2024-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于各向异性光热电材料的光电探测器、制备方法及加密方法在说明书摘要公布了：本发明属于信息加密技术领域，公开了基于各向异性光热电材料的光电探测器、制备方法及加密方法，本发明所制备的光电探测器，体积非常小，适合微型化应用，这种材料便于集成到微型电子设备中，有助于提高设备的集成度，这种材料在微电子领域中，特别是在缩小器件尺寸和提升集成度方面，显示出显著的优势。本发明基于各向异性光热电材料的光电探测器通常具有高灵敏度，有利于探测微弱的光信号，并且具有优异的光电转换性能，能够实现高效的光电探测。本发明的加密方法通过预设偏振角度和位置的多样化组合，不同信息可以对应不同的偏振角度和位置组合，使得系统具有很高的灵活性和可扩展性，生成的密钥具有高度的复杂性和唯一性。
本发明授权基于各向异性光热电材料的光电探测器、制备方法及加密方法在权利要求书中公布了：1.基于各向异性光热电材料的光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 获取Nb3Se12I晶体原料，将Nb3Se12I晶体原料抽真空封管，最后进行生长，得到各向异性光热电材料； 将各向异性光热电材料剥离到氧化硅片上，在氧化硅片上的各向异性光热电材料表面涂覆光刻胶，在光刻胶上光刻出具有双端电极的镂空图案； 在氧化硅片上沉积所需厚度的Cr层和Au层，剥离后，得到基于Nb3Se12I纳米线的光电探测器。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学，其通讯地址为：710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励