北京理工大学余亮获国家专利权
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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利聚倍半硅氧烷气体分离膜及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119113824B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410731757.1，技术领域涉及：B01D71/06；该发明授权聚倍半硅氧烷气体分离膜及其制备方法与应用是由余亮;国凯迪;谭先先;冯霄;王博设计研发完成，并于2024-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本聚倍半硅氧烷气体分离膜及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及气体分离材料技术领域，尤其涉及聚倍半硅氧烷气体分离膜及其制备方法与应用，聚倍半硅氧烷气体分离膜包括α‑Al2O3支撑体、α‑Al2O3颗粒层、过渡层和聚倍半硅氧烷层，聚倍半硅氧烷层的制备原料包括桥连型倍半硅氧烷单体和吊坠型半硅氧烷单体。本发明通过桥连型倍半硅氧烷前驱体与吊坠型半硅氧烷前驱体共聚的策略，构建具有“刚性骨架柔性微孔”的复合膜结构，设计制备了聚倍半硅氧烷气体分离膜，通过聚倍半硅氧烷网络孔径和孔道环境的精细调控，实现了HeN2的高效分子筛分，在液化天然气尾气提氦的效果十分明显，解决了传统方法成本高、能耗大的问题，以及传统二氧化硅膜水热稳定性差导致不利于工业化生产的问题。
本发明授权聚倍半硅氧烷气体分离膜及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.聚倍半硅氧烷气体分离膜，其特征在于，包括位于所述气体分离膜最外层的聚倍半硅氧烷层，所述聚倍半硅氧烷层的制备原料包括桥连型倍半硅氧烷单体和吊坠型半硅氧烷单体； 所述桥连型倍半硅氧烷单体为1,2-双三乙氧基硅基乙烷、双三乙氧基硅基甲烷、1,3-双三乙氧基硅基丙烷、1,2-二三乙氧基硅基苯中的任一种，所述吊坠型半硅氧烷单体为N-三甲氧基甲硅烷基丙基咪唑； 所述气体分离膜包括由内到外依次形成的α-Al2O3支撑体、α-Al2O3颗粒层、过渡层和聚倍半硅氧烷层，所述过渡层由勃姆石溶胶和SiO2-ZrO2溶胶干燥烧结形成。
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