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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于NiOx/Ga2O3的双异质结增强型平面栅垂直双极晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153502B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411267998.1，技术领域涉及：H10D10/80；该发明授权基于NiOx/Ga2O3的双异质结增强型平面栅垂直双极晶体管是由周弘;岳红庆;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于NiOx/Ga2O3的双异质结增强型平面栅垂直双极晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于NiOxGa2O3双异质结增强型平面栅垂直双极晶体管，主要解决现有技术不能实现增强型，反向耐压能力差的问题。其自下而上包括漏电极、衬底、漂移区、p型导电层、栅电极，形成平面栅结构；该漂移区上方两侧为电流阻挡层，p型导电层两侧为欧姆接触层，栅电极两侧为源电极，其中衬底和欧姆接触层均为高掺氧化镓，漂移区为低掺氧化镓，电流阻挡层为高电阻率氧化镓，p型导电层为p型NiOx；该p型NiOx分别与欧姆接触层和漂移区接触形成第一异质结J1和第二异质结J2。本发明利用平面栅结构及双异质结J1和J2能够显著提高器件的耐压能力，实现器件的增强型，增大器件的安全工作区范围，可用于制备大功率氧化镓晶体管。

本发明授权基于NiOx/Ga2O3的双异质结增强型平面栅垂直双极晶体管在权利要求书中公布了：1.一种基于NiOxGa2O3的双异质结增强型平面栅垂直双极晶体管，包括衬底1，漂移区2，电流阻挡层3，欧姆接触层4，p型导电层5，漏电极6，源电极7和栅电极8其特征在于： 所述电流阻挡层3采用高电阻率Ga2O3材料，其分布在漂移区2上方的左右两侧，以阻断电流的流通，控制电流的流通路径； 所述欧姆接触层4采用高掺杂的n型Ga2O3材料，以与源电极7形成良好的欧姆接触，其位于分布在两侧电流阻挡层3的上方； 所述p型导电层5采用p型导电材料，位于漂移区2中间的上方，其左右两侧与分布在两侧的欧姆接触层4接触形成第一异质pn结J1，下方与漂移区接触形成第二异质pn结J2下方与漂移区接触形成第二异质pn结J2，以提高器件的反向耐压能力，并通过这两个异质pn结控制电子从源电极到漏电极的流通，实现器件的增强型工作状态； 所述栅电极8位于p型导电层5的上方，形成从上面直接控制p型导电层导通的平面栅结构，以增大安全工作区范围，简化器件制备工艺。

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