中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院井致远获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院申请的专利一种高硬度Ta-Hf-W氮化物薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119194352B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411327677.6，技术领域涉及：C23C14/06；该发明授权一种高硬度Ta-Hf-W氮化物薄膜及其制备方法是由井致远;梁秀兵;吴蒙恩;胡振峰;邢悦;孙川;何鹏飞;卜文刚;张志彬设计研发完成，并于2024-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高硬度Ta-Hf-W氮化物薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高硬度Ta‑Hf‑W氮化物薄膜及其制备方法、应用，该氮化物薄膜由Ta、Hf、W和N原子组成，化学式记为：TaaHfbWcNd；其中，a、b、c和d均表示原子比，a的取值范围为：17～21；b的取值范围为：7～17；c的取值范围为：29～31；d的取值范围为：31～47，且a+b+c+d＝100；Ta‑Hf‑W氮化物薄膜采用反应式多靶直流磁控溅射技术制得，具有单相面心立方晶体结构，薄膜表面粗糙度为1.85～2.20nm，硬度为28.4～36.1GPa，弹性模量为308.3～357.2GPa，应用于极端服役条件领域结构材料的表面改性，提高材料表面的强度、硬度和耐磨性能。
本发明授权一种高硬度Ta-Hf-W氮化物薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高硬度Ta-Hf-W氮化物薄膜，其特征在于：是TaaHfbWcNd氮化物薄膜，所述的氮化物薄膜由Ta、Hf、W、N原子组成，化学式记为：TaaHfbWcNd；其中，a、b、c和d均表示原子比，a的取值范围为：17~21；b的取值范围为：7~17；c的取值范围为：29~31；d的取值范围为：31~47，且a+b+c+d=100；将Ta、Hf、W靶材以设定的溅射功率和设置不同的氮气气体流量通过反应式磁控溅射薄膜沉积的方式，制备得到TaaHfbWcNd氮化物薄膜；所述的氮化物薄膜的组元数为四元，具有单相面心立方晶体结构，表面粗糙度为1.85~2.20nm，薄膜的硬度为28.4~36.1GPa，弹性模量为308.3~357.2GPa。
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