上海大学赵婷婷获国家专利权
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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种双参数传感器阵列及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119245850B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411265495.0，技术领域涉及：G01K7/01；该发明授权一种双参数传感器阵列及其制备方法是由赵婷婷;代军帅;刘海;张建华设计研发完成，并于2024-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双参数传感器阵列及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种双参数传感器阵列及其制备方法，其中双参数传感器阵列包括衬底、分压电阻阵列、肖特基二极管阵列和压敏薄膜，分压电阻阵列包括若干呈阵列排布的分压电阻；肖特基二极管阵列包括若干分别位于分压电阻上的肖特基二极管，肖特基二极管包括阴电极、阳电极以及位于阴电极与阳电极之间的半导体结构，阴电极与对应的分压电阻的第一端电连接，阳电极的第一端通过半导体结构与阴电极电连接，阳电极的第二端与对应的分压电阻的第二端电连接；在压力测试时，压敏薄膜覆盖在肖特基二极管阵列上。本发明解决了在双参数传感器阵列中存在压敏传感器的灵敏度与空间分辨率无法兼顾，且温度传感器对压力信号容易耦合的问题。
本发明授权一种双参数传感器阵列及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双参数传感器阵列，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底上的分压电阻阵列，所述分压电阻阵列包括若干呈阵列排布的分压电阻； 位于所述分压电阻阵列上的肖特基二极管阵列，所述肖特基二极管阵列包括若干分别位于若干所述分压电阻上的肖特基二极管，所述肖特基二极管包括阴电极、阳电极以及位于所述阴电极与所述阳电极之间的半导体结构，所述阴电极与对应的所述分压电阻的第一端电连接，所述阳电极的第一端通过所述半导体结构与所述阴电极电连接，所述阳电极的第二端与对应的所述分压电阻的第二端电连接； 压敏薄膜，在压力测试时，所述压敏薄膜覆盖在所述肖特基二极管阵列上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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