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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利构筑低能耗忆阻器的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119343048B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411233048.7，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权构筑低能耗忆阻器的方法是由张跃;于沛霖;廖庆亮;赵璇;荀晓晨;宣景悦;张珂语设计研发完成，并于2024-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本构筑低能耗忆阻器的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种构筑低能耗忆阻器的方法，涉及忆阻器构筑的技术领域，本发明旨在解决如何降低二维材料忆阻器的能耗的问题，本发明包括以下步骤：采用化学气相沉积法在带有300nmSiO2层的硅片上沉积单层MoS2；将沉积单层MoS2的硅片放入真空退火炉中做退火处理，得到二维MoS2材料；利用光刻工艺在新硅片上进行图案化，预制出底电极的位置，通过高真空热蒸镀的方法在预制底电极的位置蒸镀Au的底电极，并同时蒸镀Cr；在所述电极上蒸镀Sb2O3薄膜；将制得的二维MoS2材料通过湿法转移到制得的所述Sb2O3薄膜上，利用电子束曝光方法与刻蚀机刻蚀，将三角形的MoS2刻成条带状；利用热蒸镀方法蒸镀Au作为顶电极，将器件放入真空退火炉中进行退火，最终制成忆阻器。

本发明授权构筑低能耗忆阻器的方法在权利要求书中公布了：1.一种构筑低能耗忆阻器的方法，其特征在于：包括有以下步骤： S1：采用化学气相沉积法CVD在带有300nmSiO2层的硅片上沉积单层MoS2；将沉积单层MoS2的硅片放入真空退火炉中进行退火处理，以得到二维MoS2材料； S2：利用光刻工艺在新硅片上进行图案化，以预制出底电极的位置，并通过高真空热蒸镀的方法在预制底电极的位置蒸镀30-80nmAu作为底电极，并同时蒸镀5-15nmCr以使底电极更稳固； S3：再利用高真空热蒸镀的方法，在步骤S2的所述电极上蒸镀Sb2O3，在钨舟中放入过量的Sb2O3，蒸镀电流为25-35A，保证蒸发速度为0.05-0.15Ås，蒸发厚度为3nm-7nm，以制得Sb2O3薄膜； S4：将步骤S1中制得的二维MoS2材料通过湿法转移到步骤S3中制得的所述Sb2O3薄膜上，转移1-5层，再利用电子束曝光方法与刻蚀机刻蚀，将三角形的MoS2刻成条带状； S5：利用热蒸镀方法蒸镀30-90nmAu作为顶电极，将器件放入温度为120-200℃的真空退火炉中，退火时间为1-3h，以改善界面接触，最终制成忆阻器。

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