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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种线偏振方向识别方法及光电探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119394442B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411392504.2，技术领域涉及：G01J4/00；该发明授权一种线偏振方向识别方法及光电探测器是由孙博;孔令贤;史铁林;苏奇;廖广兰;王世杰设计研发完成，并于2024-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种线偏振方向识别方法及光电探测器在说明书摘要公布了：本发明属于光电子器件领域，具体涉及一种线偏振方向识别方法及光电探测器，方法包括将待测线偏振光射向由第一1T’MoTe2纳米片、MoS2纳米片和第二1T’MoTe2纳米片依次层叠构成的纳米片结构，三层纳米片之间部分重叠；两个1T’MoTe2纳米片上均设置有一个电极；MoS2纳米片上设置有两个电极；两个1T’MoTe2纳米片的钼链方向之间的夹角不为0°和90°。使用垂直堆叠的1T’MoTe2MoS21T’MoTe2异质结，借助1T’MoTe2本身的偏振敏感性，施加两个方向相反的偏压，借助电极施加电压和采集电流，推断出入射偏振光的偏振方向。本发明能实现片上集成的偏振角识别。

本发明授权一种线偏振方向识别方法及光电探测器在权利要求书中公布了：1.一种线偏振方向识别方法，其特征在于，包括： 将待测线偏振光射向由第一1T’MoTe2纳米片、MoS2纳米片和第二1T’MoTe2纳米片依次层叠构成的纳米片结构，其中，三层纳米片之间部分重叠；两个1T’MoTe2纳米片上均设置有一个电极，构成第一电极对；MoS2纳米片上设置有两个电极，构成第二电极对；两个1T’MoTe2纳米片的钼链方向之间的夹角不为0°和90°； 向第二电极对施加预设电压后采集第二电极对之间的第一光电流，根据预先标定的所述预设电压下对应的光电流-光强关系，得到线偏振光的光强；向第一电极对施加正向偏压，采集第一电极对之间的第二光电流，根据预先标定的所述光强下第二光电流与偏振方向的关系，确定待测线偏振光的两个候选偏振方向；向第一电极对施加负向偏压，采集第一电极对之间的第三光电流，根据预先标定的所述光强下第三光电流与偏振方向的关系，确定待测线偏振光的另外两个候选偏振方向；四个候选偏振方向中两个相同的偏振方向即为待测线偏振光的偏振方向，完成识别。

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