深圳三地一芯电子股份有限公司钟金获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳三地一芯电子股份有限公司申请的专利数据保持方法、装置、存储控制芯片及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119418744B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411404152.8，技术领域涉及：G11C16/26；该发明授权数据保持方法、装置、存储控制芯片及存储介质是由钟金;陈向兵;张辉;胡来胜;张如宏设计研发完成，并于2024-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本数据保持方法、装置、存储控制芯片及存储介质在说明书摘要公布了：本申请公开了一种数据保持方法、装置、存储控制芯片及存储介质。该方法包括：执行对Flash的扫描，读取Flash中每个页的错误比特位数；根据错误比特位数筛选出不稳定页；按照预设调整法对不稳定页的阈值电压进行调整，以使不稳定页的错误比特位数发生变化，根据变化结果生成重读电压表；存储重读电压表。通过预先筛选出不稳定页，对这些不稳定页的阈值电压进行调整，阈值电压调整会使不稳定页的错误比特位数发生变化，根据变化结果生成重读电压表，由于重读电压表记载有将不稳定页调整成稳定页的阈值电压，因此能够保持Flash的数据准确性。
本发明授权数据保持方法、装置、存储控制芯片及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种数据保持方法，其特征在于，包括： 执行对Flash的扫描，读取Flash中每个页的错误比特位数； 统计各块中所述错误比特位数超出第一预设阈值的所述页； 基于超出次数的结果筛选出不稳定页； 其中，若所述Flash是单比特类型，所述不稳定页包括当前所述页；若所述Flash是多比特类型，所述不稳定页包括当前所述页以及当前所述页对应的共享页； 逐个配置寄存器的阈值电压值，读取调整后所述不稳定页的所述错误比特位数； 根据所述错误比特位数的变化结果，确认出所述寄存器与所述不稳定页的匹配关系； 按照预设调整步长配置与所述不稳定页匹配的所述所述寄存器的阈值电压值，生成重读电压表，其中所述重读电压表包括多组重读电压序列，每组所述重读电压序列记载有所述不稳定页对应的所述寄存器的所述阈值电压值； 存储所述重读电压表。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳三地一芯电子股份有限公司，其通讯地址为：518129 广东省深圳市龙岗区坂田街道岗头社区天安云谷产业园二期4栋4层402-406；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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