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龙图腾网获悉上海新微半导体有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451195B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411608789.9，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权半导体器件及其制造方法是由信亚杰;雷嘉成;郭德霄设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在半导体器件的制造方法中，先形成第一发射极接触层、第一集电极接触层、第二基极接触层和耗尽层，第一发射极接触层形成于第一发射极区域的器件层中，第一集电极接触层形成于第一集电极区域的器件层中，第二基极接触层形成于第二基极区域的器件层中，耗尽层形成于第一基极区域的器件层中，耗尽层与第一集电极接触层相接触并与第一发射极接触层相间隔；形成第一集电极、第一发射极和第二基极。如此，可以使NPN双极型晶体管和PNP双极型晶体管集成于同一衬底上，由于第一基极区域的器件层中形成有耗尽层，可以提高第一基极区域与第一集电极区域之间的击穿电压，进而提高第一基极与第一集电极之间的耐压性。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有器件层，所述衬底定义有PNP双极型晶体管的第一发射极区域、第一基极区域和第一集电极区域，所述第一基极区域位于所述第一发射极区域与所述第一集电极区域之间，且所述衬底定义有NPN双极型晶体管的第二基极区域，所述第二基极区域与所述第一集电极区域间隔设置，其中，所述器件层包括自下而上依次层叠的沟道层、势垒层和P型外延层，所述沟道层的材料为氮化镓，所述势垒层的材料为述氮化铝镓，所述P型外延层的材料为P型掺杂的氮化镓； 形成第一发射极接触层、第一集电极接触层、第二基极接触层和耗尽层，所述第一发射极接触层形成于所述第一发射极区域的器件层中，所述第一集电极接触层形成于第一集电极区域的器件层中，所述第二基极接触层形成于所述第二基极区域的器件层中，所述耗尽层形成于所述第一基极区域的器件层中，且所述耗尽层与所述第一集电极接触层相接触并与所述第一发射极接触层相间隔，其中，所述第一发射极接触层、所述第一集电极接触层、所述第二基极接触层和所述耗尽层中均具有P型离子； 形成第一发射极、第一集电极和第二基极，所述第一发射极形成于所述第一发射极接触层的顶表面并与所述第一发射极接触层电性连接，所述第一集电极形成于所述第一集电极接触层的顶表面并与所述第一集电极接触层电性连接，所述第二基极形成于所述第二基极接触层的顶表面并与所述第二基极接触层电性连接。

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