苏州大学马万里获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利一种硫化铅量子点光电器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486448B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411411496.1，技术领域涉及：H10K30/35；该发明授权一种硫化铅量子点光电器件及其制备方法是由马万里;文欣;刘泽柯设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硫化铅量子点光电器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硫化铅量子点光电器件及其制备方法。光电器件的空穴传输层为三层结构，下界面修饰层为形成于P型有机聚合物层下表面的硫醇类小分子配体的硫化铅量子点薄膜，上界面修饰层为形成于P型有机聚合物层上表面的三五氟苯基硼掺杂的聚[双4‑苯基2,4,6‑三甲基苯基胺]薄膜。本发明通过硫醇类小分子修饰的PbS量子点过渡有机无机界面，利用三五氟苯基硼掺杂的聚[双4‑苯基2,4,6‑三甲基苯基胺]作为一种消除与金电极势垒的普适性材料，使多种P型聚合物空穴传输层与金电极形成了稳定的欧姆接触，并有效阻隔了空气中的水氧对硫化铅量子点的侵蚀，显著提升了硫化铅量子点光电器件的效率和工作稳定性。
本发明授权一种硫化铅量子点光电器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硫化铅量子点光电器件，包括导电玻璃基底、电子传输层、硫化铅量子点活性层、空穴传输层和电极，其特征在于：所述的空穴传输层为三层结构的空穴传输修饰层，包括下界面修饰层、P型有机聚合物层、上界面修饰层；所述的下界面修饰层为形成于P型有机聚合物层下表面的硫醇类小分子配体的硫化铅量子点薄膜，量子点的尺寸为3～10纳米，薄膜厚度为3～20纳米，所述下界面修饰层与所述硫化铅量子点活性层接触；所述的上界面修饰层为形成于P型有机聚合物层上表面的三五氟苯基硼掺杂的聚[双4-苯基2,4,6-三甲基苯基胺]薄膜，按质量比，三五氟苯基硼：聚[双4-苯基2,4,6-三甲基苯基胺]为1:20～1:4，薄膜厚度为5～30纳米。
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