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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利在骨植入用镁合金基体表面上的疏水复合层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119663401B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411831946.2，技术领域涉及：C25D11/30；该发明授权在骨植入用镁合金基体表面上的疏水复合层及其制备方法是由李静媛;王晗设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本在骨植入用镁合金基体表面上的疏水复合层及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及复合生物涂层技术领域。具体地，本发明涉及在医用可降解镁合金基体上的疏水复合层及其制备方法。在所述制备方法中，首先通过微弧氧化处理在镁合金基体上形成多孔陶瓷氧化层，从而降低镁合金的腐蚀速率；然后使用化学沉积法在微弧氧化层表面上制备锶掺杂羟基磷灰石层，从而提高镁合金的生物相容性；最后，将经过微弧氧化和化学沉积处理后的镁合金在含有纳米羟基磷灰石的聚乳酸溶液中浸渍提拉一次或多次，从而形成疏水高分子层。本发明制备的疏水复合层使得镁合金的耐蚀性和生物相容性同时得到提高。本发明还涉及包含所述疏水复合层的镁合金植入物制品。

本发明授权在骨植入用镁合金基体表面上的疏水复合层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.结合于骨植入用镁合金基体表面上的疏水复合层，其特征在于，所述疏水复合层包含： 结合于所述镁合金基体表面上的多孔陶瓷氧化层，其中所述多孔陶瓷氧化层是通过对所述镁合金基底进行微弧氧化处理形成的； 结合于所述多孔陶瓷氧化层上的锶掺杂羟基磷灰石层，其中所述锶掺杂羟基磷灰石层的厚度在5至20μm范围内，且所述锶掺杂羟基磷灰石层是通过在所述多孔陶瓷氧化层上进行化学沉积处理形成的；和 结合于所述锶掺杂羟基磷灰石层上的含纳米羟基磷灰石的疏水高分子层，其中在所述含纳米羟基磷灰石的疏水高分子层中，所述纳米羟基磷灰石与所述疏水高分子的重量比例在1:2.5-24范围内；和所述含纳米羟基磷灰石的疏水高分子层的厚度在5至20μm范围内，并且 所述含纳米羟基磷灰石的疏水高分子层是通过在所述锶掺杂羟基磷灰石层上的进行浸渍提拉处理形成的，所述浸渍提拉处理过程包括：将结合有所述多孔陶瓷氧化层和所述锶掺杂羟基磷灰石层的镁合金基体在浸渍提拉溶液中进行一次或多次浸渍提拉，其中所述浸渍提拉溶液包含挥发性溶剂，溶解在所述溶剂中的浓度为5至12重量%的重均分子量在80,000至4,000,000gmol范围内的聚乳酸，和悬浮在所述溶剂中的0.5至2重量%的粒度在20至100nm范围内的纳米羟基磷灰石。

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