芯联集成电路制造股份有限公司张兆林获国家专利权
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龙图腾网获悉芯联集成电路制造股份有限公司申请的专利MEMS器件及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119706738B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411953860.7,技术领域涉及:B81C1/00;该发明授权MEMS器件及其制造方法是由张兆林设计研发完成,并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本MEMS器件及其制造方法在说明书摘要公布了:本申请提供一种MEMS器件及其制造方法,包括以下步骤:提供衬底,衬底包括镜面区域和位于镜面区域外侧的梳齿区域;刻蚀衬底以在镜面区域和梳齿区域形成间隔设置的多个沟槽;形成第一掩膜层,以覆盖沟槽的侧壁、衬底的表面并密封沟槽的开口;对第一掩膜层进行刻蚀,以露出衬底的部分表面并覆盖衬底每个用于形成第一梳齿的区域和镜面区域;在衬底的表面和第一掩膜层上形成外延层;在外延层上形成镜面结构;刻蚀外延层以形成用于支撑镜面结构的支撑结构以及位于镜面结构外侧的多个第二梳齿;以第一掩膜层为掩膜,刻蚀衬底形成多个第一梳齿,多个第一梳齿和多个第二梳齿交错设置;至少去除位于第二梳齿下方和支撑结构下方的第一掩膜层。
本发明授权MEMS器件及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种MEMS器件的制造方法,其特征在于,包括以下步骤: 提供衬底,所述衬底包括镜面区域和位于所述镜面区域外侧的梳齿区域; 刻蚀所述衬底以在所述镜面区域和所述梳齿区域形成间隔设置的多个沟槽; 形成第一掩膜层,以覆盖所述沟槽的侧壁、所述衬底的表面并密封所述沟槽的开口; 对所述第一掩膜层进行刻蚀,以露出所述衬底的部分表面并覆盖所述衬底每个用于形成第一梳齿的区域和所述镜面区域; 在所述衬底的表面和所述第一掩膜层上形成外延层; 在所述外延层上形成镜面结构,所述镜面结构和所述镜面区域相对应; 刻蚀所述外延层以形成用于支撑所述镜面结构的支撑结构以及位于所述镜面结构外侧的多个第二梳齿,其中,每个所述第二梳齿对应所述梳齿区域内的一个所述沟槽,多个所述第二梳齿位于所述支撑结构外侧,所述第一掩膜层对所述第二梳齿和所述支撑结构起到支撑作用; 以所述第一掩膜层为掩膜,刻蚀所述衬底形成多个所述第一梳齿,多个所述第一梳齿和多个所述第二梳齿交错设置; 至少去除位于所述第二梳齿下方和所述支撑结构下方的所述第一掩膜层。
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