南京大学;合肥国家实验室王科获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学;合肥国家实验室申请的专利一种分层掺杂的GaN光电阴极获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119725049B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411817490.4，技术领域涉及：H01J1/34；该发明授权一种分层掺杂的GaN光电阴极是由王科;柳裕;邵鹏飞;刘达伟;姚齐;陆海;张荣设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种分层掺杂的GaN光电阴极在说明书摘要公布了：本发明公开了一种分层掺杂的GaN光电阴极，其结构最底层为衬底，其上依次生长有缓冲层、GaN光吸收层、GaN电子迁移层，在GaN电子迁移层上吸附有CsO激活层，所述GaN光吸收层为非故意掺杂或p型掺杂，所述GaN电子迁移层为p型掺杂，且掺杂浓度高于GaN光吸收层。通过协同控制p‑GaN掺杂浓度与厚度，本发明提出的分层掺杂GaN光电阴极结构，有效避免了传统结构GaN光电阴极材料高晶体质量和高浓度p型掺杂在外延生长中难以兼容问题，在光电子产生、迁移、发射三个方面均有改善，实现提高光阴极量子效率的效果。
本发明授权一种分层掺杂的GaN光电阴极在权利要求书中公布了：1.一种分层掺杂的GaN光电阴极，其结构最底层为衬底，其上依次生长有缓冲层、GaN光吸收层、GaN电子迁移层，在GaN电子迁移层上吸附有CsO激活层，其特征在于，所述GaN光吸收层为非故意掺杂或p型掺杂，所述GaN电子迁移层为p型掺杂，且掺杂浓度高于GaN光吸收层，p-GaN经过充分地CsO激活后，形成负电子亲和势，即p-GaN表面功函数低于体内的功函数，两者差值即为表面势Vs，同时在GaN表面形成宽度td的耗尽区，掺杂浓度为5×1018-5×1019cm3的p-GaN作为电子迁移层，控制其厚度T小于或等于耗尽区宽度td，使GaN光吸收层也形成内建电场。
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