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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种低电感碳化硅功率模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119833507B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411973242.9，技术领域涉及：H01L23/52；该发明授权一种低电感碳化硅功率模块是由王来利;张彤宇;苗昱;赵明智;杨奉涛;裴云庆;张虹;甘永梅;杨旭设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低电感碳化硅功率模块在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低电感碳化硅功率模块，包括大面积的电流规划互连结构与极短路径的端子直连电容结构，通过大面积的电流规划互连结构与陶瓷基板的导电线路之间的互感大幅降低碳化硅功率模块内部的寄生电感，同时利用端子直连电容结构，缩短了从功率模块内部端子引出位置到达外部电容的路径长度，降低了碳化硅功率模块外部连接电路的寄生电感，从而降低了整个换流回路的寄生电感，抑制了开关电压过冲与震荡，降低了工作损耗。

本发明授权一种低电感碳化硅功率模块在权利要求书中公布了：1.一种低电感碳化硅功率模块，其特征在于，包括功率衬底100，所述功率衬底100的上表面安装有碳化硅功率半导体芯片300，碳化硅功率半导体芯片300的上方设置有电流方向与功率衬底100电流方向相反的电流规划互连结构200，所述电流规划互连结构200通过碳化硅功率半导体芯片300与功率衬底100的导电层连接； 所述电流规划互连结构200包括下桥臂电流规划互连结构201和相对设置的上桥臂电流规划互连结构202，下桥臂电流规划互连结构201和相对设置的上桥臂电流规划互连结构202上均设置有芯片接头和与芯片接头电连接的衬底接头； 所述上桥臂电流规划互连结构202连接有交流引出功率端子400，下桥臂电流规划互连结构201外侧设有直流引出功率端子410，直流引出功率端子410上设置有端子直连电容结构600； 所述端子直连电容结构600包括与直流引出功率端子410电连接的直流电路板610，直流电路板610上设置有多个电容，多个所述电容中容值高的电容设置在直流引出功率端子410的外侧； 在下桥臂电流规划互连结构201上还设置有与下桥臂芯片接头电连接的衬底接头，包括下桥臂第一衬底接头231、下桥臂第二衬底接头232和下桥臂第三衬底接头233；在上桥臂电流规划互连结构202上设置有与上桥臂芯片接头电连接的衬底接头，包括上桥臂第一衬底接头241和上桥臂第二衬底接头242； 上桥臂电流规划互连结构202的外侧通过交流引出端第一接头251和交流引出端第二接头252与交流引出功率端子400连接。

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