北京大学深圳研究生院陆磊获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学深圳研究生院申请的专利一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119894054B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411925856.X，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法是由陆磊;刘梦然;姜振东;王云萍;张盛东设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种氧化物薄膜晶体管，包括衬底；有源层，位于所述衬底上方，包括沟道区域以及源漏区域；吸氢层，位于所述有源层上方，其中所述吸氢层位于所述沟道区域上方的部分被去除；富氢密封绝缘层，位于所述吸氢层上方，其中所述富氢密封绝缘层位于所述沟道区域上方的部分被去除；顶栅介质层，位于所述富氢密封绝缘层和所述有源层沟道区域上方；顶栅，位于所述顶栅介质层上方；源极和漏极，分别与所述沟道区域两侧的所述吸氢层接触。
本发明授权一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化物薄膜晶体管，包括： 衬底； 有源层，位于所述衬底上方，包括沟道区域以及源漏区域，其中所述源漏区域的载流子包括氢； 吸氢层，位于所述有源层上方，其中所述吸氢层位于所述沟道区域上方的部分被去除； 富氢密封绝缘层，位于所述吸氢层上方，其中所述富氢密封绝缘层位于所述沟道区域上方的部分被去除； 顶栅介质层，位于所述富氢密封绝缘层和所述沟道区域上方； 顶栅，位于所述顶栅介质层上方；以及 源极和漏极，分别与所述沟道区域两侧的所述吸氢层接触。
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