拓荆科技(上海)有限公司方成获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆科技(上海)有限公司申请的专利薄膜应力的调整装置和半导体器件的工艺设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223688445U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423114162.6，技术领域涉及：C23C16/455；该实用新型薄膜应力的调整装置和半导体器件的工艺设备是由方成设计研发完成，并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜应力的调整装置和半导体器件的工艺设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种薄膜应力的调整装置和半导体器件的工艺设备。该调整装置包括：底座，其内部包括若干条气管，其中，第一气管中通入反应气体；以及加热盘，其上隔空放置正面镀膜的晶圆，所述加热盘的表面设有对应所述晶圆背面的多个区域的多块出气区，其中，当所述晶圆中出现由于正面的第一薄膜应力而发生翘曲的第一形变区，从所述第一形变区下方的所述出气区输出所述反应气体，以在所述晶圆背面的所述第一形变区沉积第二薄膜，经由所述第二薄膜对所述第一形变区提供向下的拉应力使其恢复形变。本实用新型能够针对性地改善镀膜晶圆由于正面的薄膜应力而产生的形变问题，提升产品的稳定性。
本实用新型薄膜应力的调整装置和半导体器件的工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种薄膜应力的调整装置，其特征在于，包括： 底座，其内部包括若干条气管，其中，第一气管中通入反应气体；以及 加热盘，其上隔空放置正面镀膜的晶圆，所述加热盘的表面设有对应所述晶圆背面的多个区域的多块出气区， 其中，当所述晶圆中出现由于正面的第一薄膜应力而发生翘曲的第一形变区，从所述第一形变区下方的所述出气区输出所述反应气体，以在所述晶圆背面的所述第一形变区沉积第二薄膜，经由所述第二薄膜对所述第一形变区提供向下的拉应力使其恢复形变。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆科技(上海)有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区鸿音路1211号10幢304室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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