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龙图腾网获悉申集半导体科技(徐州)有限公司申请的专利一种气相生长设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223688450U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520048367.4，技术领域涉及：C23C16/458；该实用新型一种气相生长设备是由李中云;王海柱;丁润发设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种气相生长设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种气相生长设备，包括：工艺腔室；设于工艺腔室内的筒体以及设于筒体底面并与筒体内部相通的管体；第一气道，顺次在管体侧壁内、筒体底壁内以及筒体侧壁内延伸；基座，基座上开设有凹穴，凹穴用于放置基板；基座内部开设有第二气道，第二气道的一端连通于第一气道，另一端连通于凹穴；旋转密封机构，与管体底部连接以带动所述基座旋转，旋转密封机构设有驱动气体进气装置与第一气道连通，以提供使所述凹穴内的所基片转动的驱动气体；有利于基座旋转平稳性、基片上方反应气体混合均匀性以及基片温度均匀性，并且能够减少或避免加热器受腐蚀性反应气体影响以及减少或避免旋转驱动装置受到加热器的显著热影响。

本实用新型一种气相生长设备在权利要求书中公布了：1.一种气相生长设备，其特征在于，包括： 工艺腔室100； 设于所述工艺腔室100内的筒体120以及设于所述筒体120底面并与所述筒体120内部相通的管体140； 第一气道110，顺次在所述管体140侧壁内、所述筒体120底壁内以及所述筒体120侧壁内延伸； 基座200，设置于所述筒体120顶部以遮蔽所述筒体120的顶部开口，所述基座200上开设有凹穴210，所述凹穴210用于放置基板；所述基座200内部开设有第二气道220，所述第二气道220的一端连通于所述第一气道110，另一端连通于所述凹穴210； 旋转密封机构300，密封设于所述工艺腔室100底部，与所述管体140底部连接以带动所述基座200旋转，所述旋转密封机构300设有驱动气体进气装置与所述第一气道110连通，以提供使所述凹穴210内的基片转动的驱动气体； 加热装置400，包括加热本体410和支撑所述加热本体410的加热支撑座420，所述加热本体410位于所述筒体120内的所述基座200下方，所述加热支撑座420自所述筒体120内朝向所述管体140延伸，贯穿所述管体140并固定设于所述旋转密封机构300以在所述旋转密封机构300带动所述筒体120旋转的过程中保持静止状态。

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