扬州杰冠微电子有限公司王正获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州杰冠微电子有限公司申请的专利一种更高栅极保护作用的MOS器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223694219U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423295448.9，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种更高栅极保护作用的MOS器件是由王正;杨程;裘俊庆;万胜堂;王坤;王毅设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种更高栅极保护作用的MOS器件在说明书摘要公布了：一种更高栅极保护作用的MOS器件，涉及半导体技术领域。通过在JFET区SiCDrift层的顶面制备一层相较于SiO2更高介电常数的高K介质材料，这些材料包括Al2O3、TiO2、ZrO2、HfO2等，由于高介电常数材料更难以受到电击穿，可更好的提高SiCMOSFET器件的栅氧强度，从而提高器件的长期稳定使用。为了避免器件在门极开启后导通性能变差，在沟道区上方设置SiO2栅氧化层，既不过多影响器件的导通性能，又同时提高了器件的栅氧强度。
本实用新型一种更高栅极保护作用的MOS器件在权利要求书中公布了：1.一种更高栅极保护作用的MOS器件，其特征在于，包括从下而上依次设置的SiCSub层1、SiCDrift层2、欧姆接触合金层10和正面电极金属层11； 所述SiCDrift层2上设有： P-body区3，设有一对，分别从所述SiCDrift层2的顶面向下延伸； NP区4，设有一对，分别从所述P-body区3顶面向下延伸，与所述P-body区3底面之间设有间距； PP区5，设有一对，分别从所述P-body区3顶面向下延伸，与所述NP区4连接； 栅氧化层6，设有一对，分别位于所述SiCDrift层2、P-body区3和NP区4顶面； 高K介质7，设置在一对所述栅氧化层6顶面，其中部区域的底面与SiCDrift层2连接； Poly层8，设置在所述栅氧化层6和高K介质7的顶面； 隔离介质层9，设置在所述Poly层8上，侧部向下延伸与所述NP区4连接； SiCSub层1厚度为120um-450um，SiCDrift层2厚度为5um-15um。
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