美格纳半导体有限公司薛正训获国家专利权
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龙图腾网获悉美格纳半导体有限公司申请的专利压摆率调节电路、缓冲电路和压摆率调节方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112054772B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010371960.4,技术领域涉及:H03F1/30;该发明授权压摆率调节电路、缓冲电路和压摆率调节方法是由薛正训;徐东一设计研发完成,并于2020-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本压摆率调节电路、缓冲电路和压摆率调节方法在说明书摘要公布了:公开了一种压摆率调节电路、缓冲电路和压摆率调节方法。压摆率调节电路包括:调节晶体管,其被配置成将调节电流提供至运算放大器的输出端口中;第一晶体管,其连接在运算放大器的电力线与调节晶体管之间;以及第二晶体管,其连接在第一晶体管与输出端口的输出节点之间,其中,调节晶体管响应于输入电压与输出电压之间的差等于或大于参考电压而由第二晶体管导通,并且调节电流响应于调节晶体管导通而被提供至输出端口。
本发明授权压摆率调节电路、缓冲电路和压摆率调节方法在权利要求书中公布了:1.一种压摆率调节电路,所述压摆率调节电路包括: 调节晶体管,其被配置成响应于所述调节晶体管导通而将调节电流提供至运算放大器的输出端口中; 第一晶体管,其连接在所述运算放大器的电力线与所述调节晶体管之间; 第二晶体管,其连接在所述第一晶体管与所述输出端口的输出节点之间, 使能晶体管,其连接至所述调节晶体管、所述第一晶体管和所述第二晶体管的,其中,所述使能晶体管被配置成响应于接收到使能信号而控制是否使所述第二晶体管导通, 其中,所述调节晶体管响应于输入电压与输出电压之间的差等于或大于参考电压而由所述第二晶体管导通。
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