三星显示有限公司韩在范获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉三星显示有限公司申请的专利显示设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112086485B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010529511.8，技术领域涉及：H10K59/121；该发明授权显示设备是由韩在范;朴英吉;朴精花;安那璃;郑洙任;金起男;金纹成设计研发完成，并于2020-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示设备在说明书摘要公布了：本公开涉及一种显示设备，包括：基底，设置在基底上距基底的顶表面不同的距离处的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。显示装置电连接到第一薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括：包含多晶硅的第一半导体层；以及第一栅极电极，在基底的厚度的方向上与第一半导体层的沟道区重叠。第二薄膜晶体管包括包含氧化物半导体的第二半导体层。第一栅极电极具有包含第一层和第二层的堆叠结构。第二层包含钛，并且第一层包含与第二层不同的材料。
本发明授权显示设备在权利要求书中公布了：1.一种显示设备，其中，所述显示设备包括： 基底； 设置在所述基底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管布置在距所述基底的顶表面不同的距离处；以及 电连接到所述第一薄膜晶体管的显示装置， 其中，所述第一薄膜晶体管包括：包含多晶硅的第一半导体层；以及第一栅极电极，在所述基底的厚度的方向上与所述第一半导体层的沟道区重叠， 所述第二薄膜晶体管包括包含氧化物半导体的第二半导体层，以及 所述第一栅极电极具有包含第一层和第二层的堆叠结构，其中所述第二层包含钛，并且所述第一层包含与所述第二层不同的材料， 其中，所述第二半导体层的氢浓度大于所述第一半导体层的氢浓度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星显示有限公司，其通讯地址为：韩国京畿道龙仁市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励