买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉东京应化工业株式会社申请的专利光致抗蚀剂图案形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112946999B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011423854.2，技术领域涉及：G03F7/004；该发明授权光致抗蚀剂图案形成方法是由角田力太;柳楠熙;染谷康夫设计研发完成，并于2020-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本光致抗蚀剂图案形成方法在说明书摘要公布了：一种光致抗蚀剂图案形成方法，包括：i在支承体上使用光致抗蚀剂组合物形成光致抗蚀剂膜的工序；ii将所述光致抗蚀剂膜曝光的工序；及iii将所述曝光后的光致抗蚀剂膜显影而形成光致抗蚀剂图案的工序，其特征在于，所述抗蚀剂组合物含有：对显影液的溶解性因酸的作用而变化的树脂A、通过曝光产生酸的产酸剂B、可光降解的碱D1、溶剂S及以下述式x‑1表示的化合物X，在所述工序i中形成的光致抗蚀剂膜中残留的溶剂的量为910ppm以上，式中，R1～R4为羟基或碳数为1～5的烷基，R5及R6为氢、碳数为1～5的烷基或被羟基取代而得的碳数为1～10的烷基。

本发明授权光致抗蚀剂图案形成方法在权利要求书中公布了：1.一种光致抗蚀剂图案形成方法，包括： i在支承体上使用光致抗蚀剂组合物形成光致抗蚀剂膜的工序； ii将所述光致抗蚀剂膜曝光的工序；及 iii将所述曝光后的光致抗蚀剂膜显影而形成光致抗蚀剂图案的工序，其特征在于， 所述光致抗蚀剂组合物含有：在酸的作用下发生交联且对显影液的溶解性产生变化的树脂A、通过曝光产生酸的产酸剂B、可光降解的碱D1、交联剂E1、溶剂S及以下述式x-1表示的化合物X， 式中，R～R分别独立地为羟基或碳数为1～5的烷基，R及R分别独立地为氢、碳数为1～5的烷基或被羟基取代而得的碳数为1～10的烷基，a、b、c及d分别独立地为0～3的整数，e及f分别独立地为1～2的整数， 所述树脂A包含以下述式a10-1表示的结构单元a10， 式中，R为氢原子、碳数为1～5的烷基或碳数为1～5的卤代烷基，Yax1为单键或2价的连接基团，Wax1为nax1+1价的芳香族烃基，nax1为1～3的整数, 所述树脂A中的所述结构单元a10的比例相对于构成所述树脂A的全部结构单元的合计100摩尔％为55～95摩尔％， 所述可光降解的碱D1是选自由以下述式d1-1、式d1-2及式d1-3表示的化合物构成的组中的1种以上的化合物， 式中，Rd1～Rd4是可具有取代基的环状基团、可具有取代基的链状烷基、或可具有取代基的链状烯基，其中，在式d1-2中的Rd2中，与S原子邻接的碳原子上未键合氟原子，Yd1为单键或2价的连接基团，m为1以上的整数，且Mm+分别独立地为选自由以下述式ca-1～ca-4表示的阳离子构成的组中的至少一种阳离子， 式中，R201～R207及R211～R212分别独立地表示可具有取代基的芳基、烷基或烯基，R201～R203、R206～R207、R211～R212可以相互键合而与式中的硫原子一起形成环，R208～R209分别独立地表示氢原子或碳数为1～5的烷基，R210为可具有取代基的芳基、可具有取代基的烷基、可具有取代基的烯基、或可具有取代基的含-SO2-环式基，L201表示-C＝O-或-C＝O-O-，Y201分别独立地表示亚芳基、亚烷基或亚烯基，x为1或2，W201表示x+1价的连接基团， 所述交联剂E1是选自由三聚氰胺、羟甲基、甘脲、聚合物甘脲、甘脲衍生物、苯并胍胺、尿素、羟烷基酰胺的树脂、环氧和环氧胺树脂、嵌段异氰酸酯、二乙烯基单体构成的组中的至少一种， 在所述工序i中形成的光致抗蚀剂膜中残留的溶剂的量为910ppm以上。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人东京应化工业株式会社，其通讯地址为：日本国神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。