意法半导体股份有限公司F·尤克拉诺获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利包括场板区域的HEMT晶体管及其制造工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112951908B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011451733.9，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权包括场板区域的HEMT晶体管及其制造工艺是由F·尤克拉诺;A·基尼设计研发完成，并于2020-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括场板区域的HEMT晶体管及其制造工艺在说明书摘要公布了：HEMT晶体管包括具有半导体异质结构的半导体主体。导电材料的栅极区域被布置在半导体主体上并且与半导体主体接触。第一绝缘层在半导体主体之上侧向延伸到导电栅极区域。第二绝缘层在第一绝缘层和栅极区域之上延伸。导电材料的第一场板区域在第一绝缘层与第二绝缘层之间延伸，沿着第一方向与导电栅极区域侧向分离。导电材料的第二场板区域在第二绝缘层之上延伸，并且第二场板区域覆盖第一场板区域并与第一场板区域垂直对齐。
本发明授权包括场板区域的HEMT晶体管及其制造工艺在权利要求书中公布了：1.一种HEMT晶体管，包括： 半导体主体，具有半导体异质结构； 导电材料的栅极区域，布置在所述半导体主体上并且与所述半导体主体接触； 第一绝缘层，在所述半导体主体之上侧向延伸到导电的所述栅极区域； 第二绝缘层，在所述第一绝缘层和所述栅极区域之上延伸； 导电材料的第一场板区域，在所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间延伸，沿着第一方向与导电的所述栅极区域侧向分离； 导电材料的第二场板区域，沿着所述第一方向在所述第二绝缘层之上延伸，所述第二场板区域覆盖所述第一场板区域，其中所述栅极区域包括下栅极部分和上栅极部分，所述下栅极部分延伸到所述第一绝缘层的第一开口中并且与所述半导体主体接触；以及 在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间延伸的介电层，其中所述介电层具有第二开口和第三开口，所述栅极区域具有中间栅极部分，所述中间栅极部分在所述上栅极部分与所述下栅极部分之间延伸到所述第二开口中，并且其中所述第一场板区域具有下板部分，所述下板部分延伸经过所述介电层的所述第三开口并且进入所述第一绝缘层的空腔中，所述第一绝缘层的厚度减薄部分在所述下板部分与所述半导体主体之间延伸。
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